GaAs太阳电池引入量子阱结构后抗辐射性能的变化

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利用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束模拟空间环境辐射,对引入量子阱GaAs太阳电池和无量子阱GaAs太阳电池进行2MeV质子注量为1×10^9-2×10^13cm^-2的辐照,通过电池I-V特性和光谱响应测试,研究分析了它们的辐射效应。结果表明这两种电池的Isc、Voc和Pmax的衰降幅度均随辐照注量增加而增大;而相同注量的辐照,引入量子阱GaAs太阳电池电性能衰降幅度要比无量子阱GaAs太阳电池的大。经2×10^13cm^-2质子辐照后,引入量子阱GaAs
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