金属栅极相关论文
日前,德州仪器发布了45nm半导体制造工艺。TI在45nm工艺中采用了SmartReflex(TM)电源与性能管理技术,将智能化的自适应硅芯片、电......
IBM联盟开发出可在32纳米芯片中加速实现一种被称为“high-k/metal gate(高电介质金属栅极)”的突破性材料。这种新方法是基于被称......
在IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,IMEC报告了一项重大进展,即在32nm节点上,利用铪基高k介质和TaC金属栅极可显著提高平面CMOS的性......
台积电(TSMC)在IEDM2008上发布了28nm级工艺技术的开发正向量产顺利推进。该公司首次采用了高k及金属栅极(HKMG)技术。至此,大型半......
1906年美国佛雷斯特在佛莱明二极管中加入一个金属栅极，发明了真空三极管，标志着电子放大管从此诞生，至今已逾百年。百年来，电子管的历......
在半导体产业的黄金时代,当戈登·摩尔还在为自己的公司制定路线图时,平面尺寸的缩小就带来了功耗、性能和面积/成本的同步进步(PP......
“2007年l1月，英特尔量产高k电介质45nm微处理器”。它表明高k电介质／金属栅极技术已商业化。它可确保摩尔定律至少再延续10年。但是......
在不断走向智能化、信息化的今天,芯片乃是国之重器已经被人们普遍达成共识。芯片是由多个器件组成,最基本的器件就是场效应晶体管......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
在刚刚过去的一个月，我们欣喜地看到业界出现了一些新技术和新动向，其中不乏亮点。英特尔计划把即将推，出的“Montevina”平台更名为......
为研究金属栅极或金属网格的屏蔽质量，利用电磁场理论和计算机数值计算技术从理论和数值模拟对金属栅极和金属网格的屏蔽效果进行了......
<正>在过去一年中,随着媒体对英特尔45纳米和高K-金属栅极的介绍和评论,让大家开始知道这两个新词汇,所以大家可能有这样的疑问:在......
