双极型晶体管相关论文
为满足高速、高精度射频电路的要求，设计了一款新型带高温曲率补偿的低温漂、高电源抑制比的带隙基准电压源。为避免运放的失调电压......
随着5G、人工智能等技术的提升和普及,模拟乘法器成为了继运算放大器之后的第二大通用型模拟芯片。模拟乘法器的精度会直接影响各......
近年来,二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）因极薄的尺寸以及优秀的电学与光学性能而备受关注。硫化钼（MoS2）是研究最广泛的TMDCs之一,它具......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
功率半导体器件(亦称电力电子器件)、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的“新一代信息产业”的基础和关......
发射极载流子增强技术作为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件所特有的技术手段,是进一步改善IGBT导通饱和压降和关断损耗折中性能的关......
硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)以其高性能、高集成度、低成本以及与硅工艺兼容的特点，被广泛应用于无线通信电路中。作为设计Si......
硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)以其高频、高速、低噪声、低功耗和高性能等优点,被广泛应用于无线通信电路中。随着应用领域的......
随着集成电路的迅猛发展,半导体制程工艺进入深亚微米领域乃至纳米领域,静电放电(ESD,Electro-Static Discharge)现象已经成为造成......
温度是生活中一个重要的基础物理量,在社会生产中,无论是工业、农业、商业、科研、国防、医疗还是环境保护部门都与温度检测有着密......
基于半导体物理和IGBT基本结构,深入论述了IGBT关断机理,推导出IGBT关断时间随电压和电流的变化规律:关断时间随电压的增大而增大,......
该文设计了一种基于0.35μm CMOS工艺的采用双极型晶体管作为感温元件的数字温度传感器.该温度传感器主要由正温度系数电流产生电......
目前,高压脉冲技术在冷阴极场致发射、等离子技术、化工、废水处理等方面的应用越来越广泛,对高压脉冲电源的性能指标的要求也越来......
目前,双极型器件及电路已经广泛应用于航空航天、核武器爆炸以及核反应堆等具有辐射性的领域。自从1991年Enlow等人发现双极型器件......
Kilopass Technology推出革命性的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor,VLT)技术,晶闸管是一种结构复杂的电子器件,在电学......
基于二维器件仿真软件Medici对 4H SiC双极型晶体管 (BJT)进行了建模 ,包括能带模型、能带窄变模型、迁移率模型、产生复合模型和......
模拟电子技术教学内容多,知识点琐碎,学生普遍感觉入门难,而场效应管及其放大电路又是模拟电子技术教学难点之一,传统的教学使教学......
<正> 一场“数字”风暴正席卷家电产品的方方面面,成为人类生活变革的一种原动力。它提高了人们的生活质量,缩短了人与人之间的距......
外接的一只双极型晶体管作为敏感元件的数字式"远端放置"温度传感器,是多年以来人们倚重的、用以检测高速、高性能芯片(如微处理器......
在晶体管GP模型基础上,采用Silvoca公司的UTMOST模型参数提取程序,得到一种双极型晶体管模型参数的提取方法.用此方法对PCM测试芯......
基于二维器件仿真软件Medici对4H-SiC双极型晶体管(BJT)进行了建模,包括能带模型、能带窄变模型、迁移率模型、产生复合模型和不完......
佛山市蓝箭电子有限公司是一家国内著名的半导体三极管研发、生产企业，其前身是佛山市无线电四厂，创建于1969年，1998年转制成股份制企......
集成电路设计过程中离不开计算机模拟,模拟的精确度不仅与器件模型本身有关,还与给定的器件模型参数值是否正确密切有关,所以准确......
近年来，随着科学技术及半导体工艺技术的发展，半导体器件的性能有了很大的提高。过去在杂志上介绍各类新型集成电路较多，而分立器件则......
【正】引言IGBT模块集合了MOSFET器件和双极型晶体管的优点,具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快......
采用双极型晶体管设计的三值TTL与非门及四态门均属于开关电路.这类门电路可用于构成三值组合逻辑电路和时序逻辑电路,也可以和DYL......
基于TCAD一体化系列工具,实现了小尺寸双极性超β晶圆管芯的工艺级及器件物理特性级的设计与优化.提出了基区宽度接近90nm层次下的......
空间电磁脉冲注入硅双极型晶体管后可能会导致晶体管烧毁。借助2维数值仿真和理论分析研究了基极注入短电磁脉冲对双极型晶体管的......
为了获得既具有双极型大功率特性又具有M0SFET的控制功率小和快速开关特性的器件,根据现有的工艺条件和技术水平,设计了耐压大于50......
双极产品具有较多的优点,在很多领域都有广泛的应用。为提高电流的性能,需要在集电极下制作隐埋层,由隐埋层工艺异常导致的双极产......
设计了一种应用于4H-SiC BJT的新型结终端结构。该新型结终端结构通过对基区外围进行刻蚀形成单层刻蚀型外延终端，辅助耐压的p^＋环位......
随着航天科技的迅速发展,集成电路的集成度越来越高,各种电子元器件被广泛应用于航天器上。复杂的空间辐射环境将给电子元器件及其......
有两种不同的双极晶体管NPN和PNP,NPN发射极emitter的工艺控制决定了晶体管的结深,在双极性晶体管制造工艺中是非常重要的,发射结......
石墨烯因独特的二维层状原子晶体结构和狄拉克锥形电子能带结构而具有新奇的电学、光学和光电子学性质。PN结则是双极型晶体管和场......
通过短路埃伯尔斯-莫尔模型对双极型晶体管的放大工作状态和饱和工作状态进行了分析,按照所分析的结论,通过实例说明在发射结正偏......
利用时域有限差分法，对双极型晶体管（BIT）在强电磁脉冲作用下的瞬态响应进行了2维数值模拟，研究了电磁脉冲从不同极板注入时BJT的响应......
借助自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器，研究了电磁脉冲从发射极注入双极型晶体管时，外电路的影响，分析了共基极接法晶体管的电......
UIUC （University of Illinois at UrbanaChampaign,．伊利诺大学香槟分校）的科学家们再次打破他们自己所保持的最快晶体管的世界纪录......
基准电压源(或基准电流源)在CMOS模拟电路中被非常广泛地采用,因其在一定的温度范围内随温度的变化很小.本文介绍一种新型的CMOS基......
为了研究高功率微波对双极型晶体管的作用,在双极型晶体管基极直接注入高功率微波效应实验现象的基础上,建立了高功率微波作用于双......
采用镜象法推导了长条形和圆形发热区的热阻计算公式。在这些公式基础上又推出了任意矩形发热区的热阻计算公式,并将计算结果与各......
Diodes公司（Diodes Incorporated）推出行业首款采用了DFN0806—3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0．48ramz，离板厚......
