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MOS器件中寄生双极型晶体管模型参数的提取
MOS器件中寄生双极型晶体管模型参数的提取
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lvyuguo_sh
【摘 要】
:
在晶体管GP模型基础上,采用Silvoca公司的UTMOST模型参数提取程序,得到一种双极型晶体管模型参数的提取方法.用此方法对PCM测试芯片的寄生三极管进行参数提取和模拟,模拟结果
【作 者】
:
吴代远
王纪民
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
2002年5期
【关键词】
:
MOS器件
双极型晶体管
参数提取
局部优化
全局优化
MOS device
Bipolar transistor
Parameter extraction
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在晶体管GP模型基础上,采用Silvoca公司的UTMOST模型参数提取程序,得到一种双极型晶体管模型参数的提取方法.用此方法对PCM测试芯片的寄生三极管进行参数提取和模拟,模拟结果与测试结果符合得较好.
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