磁性隧道结相关论文
磁性隧道结经过结构优化和性能提升已成功应用于磁存储、磁传感、磁逻辑等多种自旋电子学器件中。磁传感是利用磁性隧道结的自由层......
随着智能化和万物互联浪潮到来,对神经网络芯片需求呈现指数型增长。近年来,由于脉冲神经网络(Spiking Neuron Network,SNN)贴近于脑......
磁性隧道结以电子的自旋属性为基础,利用隧穿磁电阻效应和自旋转移力矩效应实现其微波功能。作为一类自旋电子学器件,它继承了自旋......
MgO势垒磁性隧道结是自旋电子学的核心元器件之一,因其在室温下巨大的磁电阻效应得以应用于硬盘磁读头、磁随机存储器及磁传感器等......
基于自旋转移力矩的磁性隧道结(STT-MTJ)在非易失性磁性随机存取存储器中具有潜在的应用价值。与具有面内磁晶各向异性(IMA)的隧道结相......
信息和社交网络时代,由于高性能计算机和移动数字设备的出现,产生和存储了大量的信息,而传统的存储技术已愈发难以满足人们日益增......
磁性多层膜中的层间交换耦合作用在GMR与TMR领域有着非常重要的应用。如果可以使用电场来控制磁性多层膜的层间交换耦合作用,进而......
学位
人们对于更大的硬盘驱动器的存储容量的日益增长的需求,推动了人们对这方面的关注和广泛的研究。在上个世纪末研究者发现了巨磁阻(G......
在自旋电子学领域中,由于磁性隧道结有潜力成为下一代磁性随机存储器(MRAM)的基本元件,因此是近些年的研究热点。传统磁性隧道结的势......
Co基Heusler合金通常具有远高于室温的居里温度、高自旋极化率、低磁阻尼因子,且与GaAs、MgO等衬底均具有良好的晶格匹配度,在磁性......
采用X摄像光电子能谱技术、高分辨透射电镜技术、低温隧道谱测量等手段并结合第一性原理计算,详细研究了单晶外延Fe/MgO/Fe 磁性隧......
采用RF反应溅射法制备了室温下TMR值达6.5﹪的NiFe/AlO/Co磁性隧道结.样品制备采用一系列的掩模,AlO层的制备采用RF反应溅射并原位热......
垂直磁性隧道结具有高的热稳定性和低的临界反转电流密度等优点[1],L10 相的FePt 具有巨大的垂直磁晶各向异性,NaCl 是一种廉价的......
基于CoFeB-MgO的磁性隧道结由于具有极高的TMR比值(室温604%[1])而被人们广泛研究.为了有效提高V1/2(TMR比值下降到最大值的一半时......
由于Fe4N具有大的饱和磁化强度,低的矫顽力以及高化学稳定性和自旋极化率,所以在自旋电子学应用中是一个很好的电极材料。此文章采用......
利用金属掩膜法,优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,同时利用狭缝宽度为100μm的金属掩膜直接制备出室温磁电阻比值为41.5﹪的磁......
通过优化制备磁性隧道结的实验和光刻工艺条件,制备出具有室温高磁电阻和低电阻的高质量磁性隧道结,300℃退火前后其室温磁电阻比......
我们用掩膜法制备了FeCo/Al203/Co磁性隧道结,在室温下其制备的隧穿磁电阻为8.7﹪,经过200□的退火,磁电阻上升到13.8﹪;用TEM观察其结......
采用磁控溅射,紫外线光刻和离子束刻蚀制备了LaCaMnO/EuCuO/LaCaMnO磁性隧道结.通过对获得的磁性隧道结的I-V特性测量,本文发现非......
本文基于电子密度泛函理论计算和非平衡态格林函数技术研究了具有三明治结构的磁性隧道结构(非极化SrTiO3薄层被夹在两个赫斯勒合......
基于传统光学衍射理论构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论模型.该理论模型将单晶势垒层视作周期性的衍射光栅,所以可以计入单......
2近年来,基于自旋转移力矩效应的自旋纳米微波振荡器,由于具有结构简单、尺寸小、宽频可调和容易集成等特点,在微波源、无线微......
采用磁控溅射,紫外线光刻和离子束刻蚀制备了LaCaMnO/EuCuO/LaCaMnO磁性隧道结.通过对获得的磁性隧道结的I-V特性测量,本文发现非......
用双带模型和自由电子近似研究了具有非磁金属夹层和覆盖层的磁性隧道结的电导和磁电阻。结果表明电导和隧道磁电阻(最大达叫103)都......
A brief review is presented,which includes the direct current,alternate current,electrical and thermoelectrical transpor......
在这评论,我们考察关于基于 ZnO 、基于 In2O3 的冲淡的磁性的氧化物(DMO ) 的研究的进步。第一,我们在场 DMO 的准备和描述。前者包......
近年来,自旋晶体管作为具有强大功能的未来集成电路的组成部分已得到相当多的关注.实现自旋晶体管,至关重要的是提高半导体中自旋......
描述了一个简单的磁性隧道结器件的模型。利用基于运算放大器的反向放大器通过仿真和实验研究并验证了该模型的隧道磁致电阻效应。......
交换偏置效应(Exchange Bias Effect,EB)来源于系统中铁磁相与反铁磁相的交换耦合,在自旋阀、磁性随机存储器和磁性隧道结等方......
由于Fe4N具有大的饱和磁化强度,低的矫顽力以及高化学稳定性和自旋极化率,所以在自旋电子学应用中是一个很好的电极材料。此文章......
基于Bethe理论和双束近似方法,构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论模型。该理论模型将单晶势垒层视作周期性光栅,因而可以充......
在自旋电子学研究领域中,磁性隧道结是一类重要的物理器件。由于存在无序散射,基于非晶态Al-O的磁性隧道结隧穿磁阻(TMR)较低,无法......
电子的电荷属性以及自旋属性,是人类信息技术产业发展革新之根本。电荷属性运用到人类生产生活中,诞生了传统电子学,使信息产业和......
柔性自旋电子器件结合了柔性电子与自旋电子的优势,不仅具备柔性电子便携可弯曲的特点,还拥有自旋电子所拥有的低功耗、高效率的特......
采用磁控溅射方法制备了结构为IrMn/CoFe/AlOx/CoFe的磁性隧道结多层膜,样品置于真空磁场中进行退火处理.将在不同温度退火的磁隧......
摩托罗拉实验室和半导体部DigitalDNA实验室合力推出磁致伸缩随机存取存储器(MRAM)技术,该技术将为480亿美元的半导体存储器市场带来巨变,并为全球数字消......
采用分子束外延方法制备全单晶外延Fe/MgO/Fe 磁性多层膜,利用紫外曝光和Ar 离子刻蚀制备微米、亚微米尺寸的磁性隧道结,获得室......
回顾从首款商用磁随机存取存储器(MRAM)芯片面世以来国际上对MRAM芯片辐射效应的研究;总结MRAM总剂量电离效应和单粒子效应辐照试......
基于MgO结构的磁性隧道结是磁性随机存储器(MRAM)和硬盘磁头(HDD Head)的核心结构和功能单元.但长久以来,由于MgO势垒带隙较大,在......
MgAl2O4是一类非磁性尖晶石结构的材料,不仅与常用的铁磁金属电极的晶格失配度很小,而且具有类似于MgO势垒类似的复能带特性,即对......
利用磁控溅射和光刻去胶法制备了结区面积为20×40μm的磁性隧道结(MTJ),室温下隧穿磁电阻(TMR)比值为28.7﹪,结电阻和结面积的积矢(......
本文研究了复合型磁性隧道结中隧穿磁阻(TMR)的偏压依赖理论.在数值上给出了AlO/ZrO复合型隧道结中的TMR偏压依赖的不对称特征.并......