缺陷效应相关论文
二氧化钛光催化剂自1972年,AFujishima和 KHonda发现以来人们在应对环境危机,能源短缺寄予了厚望,但因禁带宽对太阳光的利用率很低......
低维材料具有大的比表面积、独特的电子结构和优异性能,在新能源、信息等领域具有重要的应用前景.低维材料所具有的特殊电子态可以......
石墨烯展现出优异的物理性质，是多科学共同关注的明星材料；对石墨烯的深入研究又推动了其他二维单层材料如硅烯、硼单层的发展。......
多孔材料由于其具有比强度高、吸能优良和抗震性能好等优异特性,在汽车、飞机等的结构轻量化设计、防护包装、换热器等领域具有广......
Ⅲ族氮化物属第三代半导体材料,具有禁带宽度大、电子饱和速度高、且耐高温、耐高压、抗辐射等优良特性,是制备电力电子器件的理想......
采用非平衡态分子动力学方法模拟了含有掺杂缺陷的碳管的导热系数,分析了不同缺陷原子、缺陷浓度、环境温度、碳管手性以及长度等......
为了克服传统存储器件所存在的缺陷，人们提出了许多新型的器件，包括相变存储器(PcRAM)、铁电存储器(FeRAM)、磁存储器(MRAM)以及阻变......
拓扑绝缘体作为一种新的物态,正在逐渐成为凝聚态物理学的一个研究热点。这类绝缘体与普通绝缘体类似在最高占据能带和最低未占据......
研究了以金属铜六边形开口谐振环为基元的二维负磁导率材料的缺陷效应.利用电路板刻蚀技术制备了二维负磁导率材料样品.采用波导法......
理论和实验已经表明 ,金属开口谐振环 (splitringresonators,简称SRR)可以实现材料的有效磁导率 μeff在某一频率范围内为负 .采用......
以金属铜六边形开口谐振环 (SRRs)与金属铜线的组合为结构单元 ,研究了三维左手材料中的缺陷效应 .利用电路板刻蚀技术制备了左手......
以金属铜四边形开口谐振环（SRR）与不同形状和尺寸金属铜线的组合为左手材料结构单元,利用HFSS9软件仿真计算了不同结构的一维左手材......
目前被广泛关注的负介电系数集成材料，其基本结构是在印制板上周期蚀刻连续或不连续金属丝，形成独特的周期性结构，使材料的有效介电系......
本文以能量为1．0MeV的电子束辐照VOAB）薄膜，对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算，使用X射线衍射仪、傅立叶中红外光谱仪对薄膜......
本文讨论了一维铁磁体中含有单个缺陷对自旋波频率移动的影响,结果表明,缺陷的存在会产生以缺陷为中心的局域自旋取向运动模式.......
随着自旋电子学的建立,半金属材料在近年来引起了人们极大的关注。由于这类材料具有特殊的半金属性,即在其能带结构中,多数自旋载......
半金属铁磁体具有特殊的能带结构,其中自旋向上子能带穿过了费米面,呈现金属性；而自旋向下子能带不跨过费米面,费米面刚好处于带隙......
为检测 a- Si TFT有源矩阵板缺陷 ,提出了 TFT阵列测试电流环路模式和交流导纳单故障模型 ,研究了 TFT像素单元交流导纳特性和缺陷......
利用基于密度泛函的第一原理量子计算模拟,我们研究了几种碳基纳米材料的电子性质和输运特性,并通过对其性质的模拟进行了相应的器......
左手材料是一种介电常数与磁导率同时为负值的奇特材料,因其中传播的电磁波电场矢量、磁场矢量以及波传播方向满足左手定则而得名......
