多晶硅薄膜ECR-PECVD低温生长结构研究

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【摘要】

：

多晶硅(Poly-Si)薄膜以其优异的光电性能与较低的制备成本,在能源信息产业中日益成为一种非常重要的电子材料,在大规模集成电路和半导体分立器件中得到广泛应用。目前多晶硅薄膜的发展趋势为低成本和高光电转换效率。为极大限度地降低成本,人们已研究了多种能在廉价玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜的方法。其中电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术(ECR-PECVD),具有等离子体密度高、电离度大、无电极、高

【作者】

：

邓婉婷

【机构】

：

大连理工大学

【发表日期】

：

2008年05期

【关键词】

：

ECR-PECVD 多晶硅薄膜择优取向微结构

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