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通过傅立叶红外光谱仪（FTIR）技术研究了由快中子辐照直拉硅中引入的辐照缺陷——双空位（V2）退火行为，主要研究了不同中子辐照剂量对双空位的影响。实验结果表明：随辐照剂量的增加双空位缺陷的浓度并不会无限地增加；间隙氧原子很容易与双空位缺陷结合形成比较稳定的空位-氧复合体，当退火温度超过200℃，双空位吸收峰消失。