自从石墨烯第一次被英国曼彻斯特大学的学者利用机械剥离法分离出来,二维材料就因其独特的电子结构及物理化学性质引起了广泛学者的关注。由于摩尔定律的存在,更多的学者趋向于找到能够取代硅基材料的存在,其中过渡金属硫化物由于其独特的性质是最为瞩目的材料之一。作为研究最广泛的过渡金属硫化物MoS2被学术界称为“白色石墨烯”,理论和实验的研究表明单层MoS2是一种具有数值约为1.8eV直接带隙的半导体,这使它成为了零带隙的半金属石墨烯的一种很好的补充材料,因为没有带隙严重限制了石墨烯在纳米电子学中的实际应用。在本文的工作中,我们首先利用基于密度泛函理论的第一性原理模拟计算工具对单层MoS2的电子特性进行了研究,为了进一步优化并改善单层MoS2的电子结构,我们首先探究了缺陷对于MoS2电子结构的影响,包括点缺陷和线缺陷。通过设计并计算了点缺陷单层MoS2的电子结构,我们发现Mo和S原子的空位缺陷使得能带中出现了新的电子态,从而使带隙宽度变得更窄,并通过输运图谱验证了这一结果。其次我们设计了不同的线缺陷结构来探究线缺陷对于MoS2能带结构的影响,通过计算了不同结构的输运图谱,可以得知线缺陷的存在使得MoS2纳米带的带隙变宽,同时电导率的大小一定程度上会取决于输运方向,沿着armchair方向的导电性会被抑制得更强。在接下来的计算中,我们设计并探究了四端口 MoS2纳米带的结构和性质。通过计算得到四端口 MoS2纳米带的电子输运图谱,我们发现在十字型的MoS2纳米带结构中,通过直通道进行线性电导输运的过程中,电子传输存在绝缘带,然而,在弯曲通道中本该是绝缘带的区域却出现了有限的电子输运,我们初步认定是受到纳米带的边缘态的影响。然后通过操作纳米带的宽度,我们探究了这种有限输运的影响因素,结果证明加宽纳米带的宽度并不会增强输运的强度,这与我们的预期相符。接下里我们改变了纳米带的角度,结果证明角度的改变会影响到输运状态。通过计算不同构型下的四端口 MoS2的态密度,我们证明了四端口 MoS2中绝缘带的有限输运取决于纳米带边缘态的存在,同时这种有限输运的大小和纳米带的角度有关。在未来的计算中,我们会探究更多关于不同键角下的多端口 MoS2的电子结构,使得单层MoS2在不同场景下得到更加广泛的应用。