H桥单元作为中压级联系统的核心单元，掌握它的电磁干扰（Electromagnetic Interference，EMI）特性是准确评估级联系统电磁兼容性能的关键。为建立中压H桥模块的电磁传导干扰模型，首先指出H桥模块所用的高压绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）模块的存在铜基板涡流，会对传统的阻抗测试方法产生影响，并以双脉冲测试与仿真结合提取IGBT半桥模块的分布寄生参数，建立其动态模型。其次，针对测试现场的非理想接地问题，评估电抗器的接地阻抗水平，拟合H桥负载电抗器的差、共模阻抗参数；指出中压H桥模块浮地工作的特点，并结合其机壳的钳位方式提取对地分布参数，建立中压H桥模块全电路EMI模型。最后，为对所建立模型的有效性进行验证，提出一种消除无源探头终端负载效应的补偿方法，解决了无源探头在提取高压信号的高频频谱时存在误差的问题，将该方法应用于中压H桥模块的EMI测试。测试结果验证了该补偿方法的有效性及所建立中压H桥模块全电路EMI模型的准确性。