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为了降低绝缘体上硅（SOI）功率器件的比导通电阻，同时提高击穿电压，利用场板（FP）技术，提出了一种具有L型栅极场板的双槽双栅SOI器件新结构.在双槽结构的基础上，在氧化槽中形成第二栅极，并延伸形成L型栅极场板.漂移区引入的氧化槽折叠了漂移区长度，提高了击穿电压；对称的双栅结构形成双导电沟道，加宽了电流纵向传输面积，使比导通电阻显著降低；L型场板对漂移区电场进行重塑，使漂移区浓度大幅度增加，比导通电阻进一步降低.仿真结果表明：在保证最高优值条件下，相比传统SOI结构，器件尺寸相同时，新结构的击穿电压提高了