立方GaN外延层的热稳定性研究

来源 :第六届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qimao1986
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本文对GaAs(001)衬底上分子束外延生长的立方GaN的热稳定性做了研究,研究表明随着退火温度的提高样品表面粗糙度减小.
其他文献
本文报导了用固态源分子束外延生长的脊波导2μm AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器.
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采用MBE生长技术,在半绝缘GaAs衬底上生长了大失配的InGaAs/InAlAs MM-HEMT材料.对其进行了透射电镜(TEM)、PL谱以及Shhubnikov-de Hass(SdH)振荡测试,并通过有限差分法自恰求解薛定谔方程的泊松方程,给出了材料的导带结构、费米能级和量子阱中的子带波函数,完成了PL谱中峰的指认工作.
制作高性能HBT的关键之一是获得界面质量优良的半导体超薄异质结构材料,分子束外延是生长HBT微结构材料的最先进技术之一.本文报道了GSMBE技术生长InGaP/GaAs HBT微结构材料及其原型器件研究.
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会议
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