近年来,直接硒化或者碲化金属衬底形成的二维硫基层状化合物,因具有独特的拓扑性质而受到广泛关注。如Pt Se2作为第二类狄拉克半金属在光学和电学领域具有很高的研究价值,在电子器件和光学器件的应用方面具有广泛的发展前景。因此探究金属衬底上硫族化合物的基本结构和电子性质,寻找更具发展潜力的二维硫基层状化合物,具有非常重要的研究意义。本论文采用分子束外延的方法在单晶Al（111）衬底上生长了高质量的硒化铝合金,利用扫描隧道显微镜、角分辨光电子能谱,结合第一性原理计算详细研究了硒化铝合金的基本结构和性质,并对其电子性质进行探究,主要结论如下:（1）利用分子束外延方法,在Al（111）衬底上沉积不同覆盖度的硫族元素硒。X射线光电子能谱探测表明,在覆盖度0.75 ML时,Se元素的d轨道结合能变大,说明硒和铝结合发生电荷转移。清晰的高能电子衍射条纹表明Se和Al在衬底表面处形成非常好的单晶。并且我们利用扫描隧道显微镜发现,Al Se合金表面原子呈六角蜂窝状排布,晶格常数为3.8?,原子结构与硒化铟和硒化镓类似。结合理论计算确定硒化铝和Al（111）衬底的匹配是Al Se（3x3）/Al（111）（4x4）,原子结构与实验结果吻合。这些说明我们成功生长出了大面积单晶Al Se合金。（2）利用角分辨光电子能谱分别表征了单晶Al（111）衬底和硒化铝的电子结构。生长前,Al衬底的表面态能带出现在-4.6 e V处。覆盖度为0.75 ML时,铝衬底表面态能带依然存在,并且出现新的清晰的能带,随着沉积量再增加,能带逐渐变模糊。而由于硒和铝的强杂化,在高对称方向Г-K和Г-M,能量在费米面-4 e V处出现两条空穴型的能带。结合理论计算发现,两条空穴型的能带主要来源于硒的px和py轨道,而pz轨道由于和衬底的强结合对能带的贡献很小。并且这两条空穴型能带由于自旋轨道耦合发生了0.2 e V的劈裂。本论文首次利用分子束外延方法直接在Al衬底上生长了Al Se合金,并清楚地研究了Al Se合金的原子结构和电子性质,对硒化铝之后的物性研究和具体的应用奠定了基础。