Co2FeAl中弱局域化对反常霍尔效应的影响

来源 :第十二届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：calvin0932

【摘要】

：

半金属磁性材料由于在费米面附近只存在一种自旋取向的电子,理论而言它的自旋极化率为100％,对于自旋注入起到了关键作用1.利用分子束外延技术(MBE）生长出了高质量的heusler合金Co2FeAl薄膜,并且测量其输运性质.发现当Co2FeAl薄膜厚度减小到10ML(1ML=0.14nm)时,R-T曲线表现为半导体的性质(Fig.1).认为,由于薄膜属于岛状生长模式,当薄膜厚度减小到10ML时,Co

【作者】

：

张晓倩赖柏霖何亮徐永兵

【机构】

：

南京大学电子科学与工程学院,南京210093

【出处】

：

第十二届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2017年8期

【关键词】

：

磁性半导体薄膜分子束外延生长反常霍尔效应弱局域化

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