内匹配相关论文
近年来无线通信领域迅速发展,市场对固态功率器件的性能指标需求不断提高,这使得大功率高效率成为人们竞相研究的热点。相比于电真......
随着5G时代的到来,通信行业又有了一步大跨越式的发展,氮化镓（GaN）功率器件作为通信领域和半导体领域的交叉核心,其发展与应用也跟随......
随着通信技术的发展,对于远距离通信的需求越来越高,功率放大器作为发射机的最重要组成部分,客观上推动了功率放大器的发展。固态......
GaN材料具有宽禁带宽度、高耐受电压、高功率密度等特性,能够很好地满足功率器件在耐高温、大功率、高效率等方面的性能要求。本文......
随着无线电技术和网络技术的飞速发展,对通信能力的要求越来越高,通信系统呈现多频带、多模式、自适应的发展趋势,功率放大器作为......
利用硅功率双极晶体管(Si BJT)的小信号S参数及瞬态I-V特性的测量数据,本文提出建立一种BJT大信号分析模型及其内匹配电路设计方法......
基于南京电子器件研究所的0.5μm GaN HEMT工艺平台,研制了一款2~5 GHz宽带固态功率放大器。采用低通L-C匹配网络消除虚部阻抗,并......
报道了全平面C波段功率单片放大器及四单片合成放大器研究结果。单片放大器采用全离子注入工艺，均匀性好，平均成品率40％，可靠性高。工......
设计了工作在8GHz的基于AlGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高......
利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W、功率增益大于9dB、......
优化了芯片版图结构,采用常规工艺制作了SiC MESFET大栅宽芯片。优化了管壳内芯片装配形式,采用电容及电感匹配网络提高了器件阻抗......
基于标准工艺自主研制了L波段0.5μm栅长的GaN HEMT器件。该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长的AlGaN......
基于GaN微波功率器件工艺研发了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片。采用场板结构提高芯片的击穿电压,采用多子胞结构改善热分布,使......
本文研究了S波段250W星用氮化镓内匹配功率管的研制工作,该功率管采用南京电子器件研究所的两个25mm栅宽进行匹配合成.最终研制的S......
介绍了一种基于内匹配功率管的Wilkinson微带功率分配器设计新思路。传统Wilkinson微带功率分配器在低频段体积大,用于内匹配功率......
针对射频收发前端对功放高效率、大功率的需求,采用内匹配技术,设计并实现了一款工作在0.9?1.1 GHz的高功率内匹配放大器.该放大器......
介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路.基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了......
本文给出了一种设计双层带状线带通滤波器的一般方法,并利用IE3D对中心频率为2.25G,带宽为0.6G的滤波器进行了模拟仿真和优化,......
介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接......
本文介绍了微波乃至毫米波频段的幅度均衡器及其在雷达中的应用,给出了几种集中式、分布式微波幅度均衡器的设计模型与实现方式,根......
介绍了一种采用梳状发射极自对准工艺、发射极扩散镇流电阻、输入、输出内匹配等技术研制出的硅脉冲大功率晶体管实验结果.在3.1GH......
摘要本文对微波内匹配大功率晶体管所用的内匹配电容在引线键合时易出现金属层与氧化层分离现象进行了分析，并给出了改进方法。在采......
该文介绍了ＵＨＦ频段微型封装功率放大器模块的设计方法和试验研制过程，采用混合集成电路薄膜技术，将多级芯片集成到微型封装的金属底座全......
采用内匹配技术,使用两枚GaN HEMT晶体管,在X波段8.0～ 8.5 GHz频段内,设计并实现了一种高可靠性、高功率附加效率的功率放大器.基于......
近年来，民用移动通信技术和军事雷达技术迅速发展，均对无线信号的传输和发射质量提出了更高的要求。在移动通信基站和军事雷达中，射频......
学位
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
介绍一种大功率固态脉冲功放组件。该组件在 80 0 MHz中心频率处 ,峰值输出功率大于80 0 W,带宽 50 MHz,脉冲宽度 0 .8μs,脉冲工......
采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器......
期刊
介绍了一种基于GaAs HFET结构的S波段内匹配器件的设计方法。由于大栅宽器件模型难以准确确定,提取了具有相似结构的小栅宽器件模......
利用国产Sic外延材料和自主开发的sic器件工艺加工技术,实现了sic微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10 W、功率增益大于9 dB......
基于国产的SiC衬底GaN外延材料,研制出大栅宽GaN HEMT单胞管芯。通过使用源牵引和负载牵引技术仿真出所设计模型器件的输入输出阻......
介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制......
期刊
采用自主研发的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制了总栅宽为2mmGaN HEMT,利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性,得出该器件源漏阻抗实......
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附......
期刊
利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器。电路包含有四个AlGaN/GaNHEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输......
本文研究了一种S波段320W GaN内匹配功率放大器。该器件基于自主研发36V工作的GaN HEMT管芯。以负载牵引结果为出发点,运用电子仿......
介绍了S频段微波脉冲功率放大器模块的设计方法和试验研制过程。利用内匹配技术,采用混合集成电路制作,将四级芯片集成到微型封装......
采用离子注入，多层欧姆接触金属结构、干法刻蚀、Г形栅，空气桥，通孔接地和电镀热沉等先进技术，在直径５０ｍｍ ＧａＡｓ片上制作了总栅宽为９．６ｍｍ的功率场效......
报道了全平面Ｃ波段功率单片放大器及四单片合成放大器研究结果。单片放大器采用全离子注入工艺，均匀性好，平均成品率４０％，可靠性高。工作频......
报告了研制的9.6 mm栅宽双δ-掺杂功率PHEMT,在fo＝11.2 GHz、Vds＝8.5 V时该器件输出功率37.28 dBm,功率增益9.5 dB,功率附加效率44.7......
报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5～9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值......
采用自主研发的SiC衬底GaNHEMT外延材料，研制了总栅宽为2mmGaNHEMT，利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性，得出该器件源漏阻抗实部分别......
