高频器件相关论文
目的：本文的研究对象是(Ni75Fe25)69(ZnO)31纳米颗粒薄膜，重点研究薄膜的厚度对薄膜矫顽力Hc、各向异性场Hk、电阻率ρ以及高频......
该文介绍了雷达整机及其部分高频器件如低噪高放等的ＨＰＭ干扰损伤效应实验，实验着重于单次，短脉冲微波功率对雷达的干扰损伤，并对雷达整机......
该文通过添加适量WO研究其对PNZ三元系瓷料电气性能如Qm值、稳定性和机械强的影响。并用该瓷料批量生产小型化的厚度剪切模8.0MHZ......
在过去的几十年中,世界各国投入大量资金竞相发展固态器件,尽管它在低频范围内取代了部分中小功率微波电子管,但多年的研究进展表......
SiC材料作为一种第三代半导体材料，因其具有禁带宽度大(3.2ev)，耐击穿电场强(2.2×106 V/cm)，饱和电子迁移速度高（2.0×107cm/s），热导率......
高频器件对由封装结构引起的寄生效应越来越敏感,因此需要对封装结构寄生效应进行参数分析,以便保持封装后的信号质量和信号完整性......
介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制......
期刊
对石英基片欧拉角为(o°,124°γ)系列传播方向上传播的表面声波波动模式进行了理论分析与实验研究.发现在欧拉角为(0°,124°,50......
驻波系数是高频器件的一个重要性能参数，以下研究了一种驻波系数的测量方法和原理，利用扫频仪在长馈线上形成波的动态参数来得到高频......
报道了一种适用于高频压电器件的Co2O3改性Pb（Mn1/3Sb1/3）O3-PbTi O3（PT-PMS）基陶瓷。采用轧膜成型工艺制备了PT-PMS压电陶瓷,研究了加......
我国的电力电子器件已由早期的小功率、半控、低频器件发展到现在的超大功率、全控、高频器件。今后，电力电气行业须努力研制4类新......
对高声速材料，高声速波模式研究已成为实现高频ＳＡＷ器件的重要方向之一。众所周知，一般的纵声波的速度是ＳＡＷ声速的两倍。因此对准纵模表面漏......
HUBER+SUHNER种类繁多的高频器件，接插部件和传输系统已在世界各地区广泛应用於固定式和移动式无线链路．移动电话、测量技术以及导航......
期刊
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在半导体器件生产企业中,使用测试针接触器件的引脚进行电参数测量,必须考虑两个问题。一个问题是降低测试针与器件引脚间的接触电......
数字器件正朝着高速、低耗、小体积、高抗干扰性的方向发展，这一发展趋势对印刷电路板的设计提出了很多新要求。Protel软件在国内的......
作者采用一种新方法设计了可在高压下工作的高频VDMOS器件,该器件具有二级场板终端结构。通过在工艺上利用多晶硅选择氧化形成漏表......
目前爱立信的5G高频设备已在北美市场预商用，王巍预计，2019年上半年爱立信会推出商用系统。......
总结了真空钎焊焊接末制导雷达铝合金高频器件的主要工艺过程和方法，选定了最佳工艺参数。采用真空钎焊工艺焊接的铝合金高频器件各......
碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性和抗辐射等突出的特性与优势,决定了其在高功率器件、高......
由于某毫米波高频器件原有的结构和加工方法无法全面保证部件的尺寸、形位公差,对其电气性能产生了不利影响,延缓了电气调试进度。......
作者采用一种新方法设计了可在高压下工作的高频VDMOS器件,该器件具有二级场板终端结构。通过在工艺上利用多晶硅选择氧化形成漏表......
5G通信不仅仅是人的通信,而是物联网、工业自动化、无人驾驶被引入,通信从人与人之间通信开始转向人与物的通信,直至机器与机器的......
