I~2L相关论文
采用一维近似模型对上扩散I~2L电路npn管基区工艺参数进行了理论分析,并且给出了实验结果。实验结果与理论分析较好地符合,显示出......
双极存储器件首次打入了现在为动态 MOS 存储器所占领的主存系统领域。这个双极存储器(型号为93481)是一个4096位随机存取存储器,......
线性相容集成注入逻揖可能成为制作高牲能单片模——数转换器的理想工艺。双极工艺,它能制作出优于任何金属氧化物半导体工艺的模......
折叠收集极 I~2L 由于它的反向电流增益是可以控制的,因而它成了 I~2L 多值逻辑电路的一种基本单元。本文着重分析了折叠收集极 I~......
一、引言集成注入逻辑(I~2L)于1972年问世,至今,在国际上它已经被公认为实现双极大规模集成电路的重要技术途径,被誉为半导体大规......
本文论述了用集成注入逻辑(I~2L)技术制造可编程序逻辑阵列(PLA)的某些考虑。这些考虑以I~2L特有的实验数据为基础,并在三种不同编......
文献[1][2]曾经指出I~2L门的最小传播延迟时间是向上渡越时间以及向上和向下电流增益的递增函数。另一方面,功耗一延迟积随电压摆......
引言集成逻辑电路制造技术的不断改进,起初着手于旨在较短延迟时间方面的成就。然而到1970年前后,速度可能提高的程度事实上已达......
Bell公司由于整个地采用了离子注入及标准双极工艺,已经研制了一个肖特基集成注入逻辑结构,它超过了现有的n-沟MOS和TTL设计。Bel......
肖特基 I~2L 利用集成注入逻辑 I~2L 或 MTL 原理,和离子注入方法,在同样密度下能比普通 I~2L 获得更好的性能。肖特基二极管是在......
对于I~2Lnpn晶体管来说,介绍了允许将基极电流分成不同成分的方法:在氧气化层和金属复盖的Fp区中电子的复合电流,在高掺杂n~+发射......
本文论述了总的辐射剂量对9个STL和大批量生产的I~2L大规模集成电路的影响,研究这些器件的目的是为了实现全局定位系统(GPS)的功能......
本文通过对一般I~2L电路速度不高、负载能力不强的缺点的分析,提出了一种新型的I~2L电路形式及其在IC中的结构.企图在继续保持一般......
为了提高I~2L电路的速度,本文利用新型器件——四极并合晶体管代替pnp管进行电流注入,结果表明,在相同注入极电压下,I~2L电路的速......
本文讨论3.2×3.4mm~2的CVSD芯片内双极高压模拟器件与I~2L逻辑器件单片兼容的技术。该工艺采用在常规p-n结隔离双极IC基础上只增......
叙述了Ｉ２Ｌ的基本结构及原理，提出了Ｉ２Ｌ单元的建库方法，包括逻辑符号库、版图库、功能参数库的建立三部分内容，提出了常规逻辑图到Ｉ２Ｌ逻辑图的转......
穿过完整皮肤发射生理信息的一切由子测量系统的(?)(?)在于需要低功耗工作。为了在特殊的生理系统中减小功耗,提出了一个利用数字......
