【摘 要】
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据《学会志》1996年第1期报道，日本NEC公司已制成作卫星通信用固态放大器的AIGaAs异质结双极晶体管（HBT）。在26GHz下实现了每个单元650mw，为以前FET4倍以上功率。其关键技术是：（1）由
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据《学会志》1996年第1期报道，日本NEC公司已制成作卫星通信用固态放大器的AIGaAs异质结双极晶体管（HBT）。在26GHz下实现了每个单元650mw，为以前FET4倍以上功率。其关键技术是：（1）由于采用斜面状的InGaAs基区，缩短了电子的渡越时间。外基区层采用高浓度GaAs层，降低基?
According to “Institute of History,” No. 1 of 1996 reported that Japan’s NEC has made a solid-state amplifier for satellite communications AIGaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT). 650mw per cell at 26GHz, more than 4 times the power of previous FETs. The key technologies are: (1) As a result of beveled InGaAs base region, shortening the transit time of electrons. External base layer using high concentrations of GaAs layer, reducing base?
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