铟镓砷相关论文
采用固态源分子束外延系统（SSMBE），以四溴化碳（CBr4）作为碳掺杂源，研究基于碳掺杂InGaAs材料的InP双异质结双极晶体管（DHBT）分子束外延生长......
对场助光电阴极的发展进行回顾，介绍了场助光电阴极的工作原理，系统总结了三种具有代表性的阴极结构，分别是InP/InGaAsP/InP、InP/InG......
围绕新一代遥感探测仪器应用需求,中国科学院上海技术物理研究所在短波红外InGaAs焦平面探测器领域取得了一系列进展.通过低缺陷外......
当传统的天文导航系统应用于大气层内的载体时,在白天条件下极易受到强天空背景辐射影响而饱和,失去星体探测能力,严重影响了天文......
空间应用短波红外InGaAs探测器的性能不断提高,对辐照损伤越来越敏感。通过实时测试的方法,研究了不同剂量和不同剂量率的γ辐照对......
随着激光技术、微波技术和微电子技术的发展以及半导体工艺的不断改善,超高速光电子器件的工作速度、工作精度得到了空前的提高,在......
单光子探测技术在国防军事、科学研究及民用生活等范畴具有广泛的应用前景,例如量子通信中的密钥分配、天文学中的激光测距以及医......
短波红外探测器技术在空间遥感、军事防御、医疗诊断以及安防监控等领域发挥着至关重要的作用。而晶格匹配的短波红外InGaAs/InP探......
随着器件特征尺寸进入纳米领域并不断缩小,日益增大的静态功耗已经成为制约集成电路发展的重要因素。现有的金属氧化物半导体场效......
GaAs基QWIP由于具有优异的材料均匀性、灵活的能带剪裁以及成熟的生长制备工艺等优势在红外探测领域具有广泛的应用前景，但传统的Ga......
针对900~1700 nm波长无扫描激光三维成像雷达的需求,研制了一种规模为64×64的线性模式雪崩焦平面阵列(LM-APD-FPA),它由InGaAs/In......
提出针对线性渐变滤光片型近红外光谱组件的时空域性能改善方法,并通过研制微型化512×2元InGaAs光谱组件,结合多帧数据融合算法完......
用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率结果表明,InxGa1-xAs薄膜为......
采用低压金属有机化学气相沉积（LP—MOCVD）技术，两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层InxGa1-xAs的In组分对In0.......
采用低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.18......
文章介绍了一种基于比色测温原理研制的光纤测温仪,分析了比色测温原理,推导了其数学模型.该测温仪以硅和铟镓砷(InGaAs)光电二极......
采用微波反射光电导衰减法测量了P^＋-InP／n-InGaAs／n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布，通过对非平衡载流子浓度在P^＋n结中衰减过......
激光雷达作为一种重要的遥感手段,具有方向性强、分辨率高等特点,广泛地应用在人工智能、大气科学、环境监控等领域。其中,1.5 μm......
设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边......
光电探测器是实现光电检测及各种光电技术的核心部件。文章介绍采用Si和In GaAs两种材料集成制作的双波段光电探测器 ,它能同时探......
介绍了利用LPMOCVD技术在InP衬底上生长In0.53Ga0.47As材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了Ⅴ/Ⅲ比对表面形貌......
采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术制备大面积组分均匀的高晶格失配InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料．器件结构为：在直径为2英寸......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
太赫兹波(THz)探测是太赫兹物理及其应用领域的重要基础研究内容,太赫兹波探测技术在成像、遥感、安检、生物医学和通信等领域的日......
非致冷红外探测器及其列阵是近年红外探测器发展的一个新趋势。Ⅲ-Ⅴ族InGaAs半导体材料特别是与InP衬底匹配的In0.53Ga0.47As已经......
学位
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
InGaAs/GaAs失配异质结材料有较高的电子迁移率、材料稳定性好，并且带隙在一定范围内(0.36-1.42eV)可调等优点，在光电子器件领域有着......
学位
采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术生长InGaAs红外探测器器件结构．器件结构为：在掺杂的InP衬底上生长2．8μm的In0.53Ga0.47As吸收层，......
期刊
采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4。利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.9......
期刊
在13μm的近红外波段,InxGa1-xAs是非常重要的红外探测材料。与传统的HgCdTe材料和锑化物材料相比,三元InxGa1-xAs材料具有较高的......
学位
随着航天应用InGaAs短波红外探测器的迅速发展,其可靠性问题日益突出。选择温度为加速应力,通过步进应力加速寿命试验方法对800×2......
采用组分跳变和低温大失配缓冲层技术在GaAs衬底上外延了In0.3Ga0.7As材料。测试结果表明,采用组分跳变缓冲层生长的In0.3Ga0.7As......
短波红外In Ga As探测器具有室温工作、探测率高等优点,在空间观测、环境监测以及军事领域等具有广泛的应用前景。基于短波红外In ......
工作在1-3μm的近红外探测器件，在空间遥感、大气监测、资源勘探等领域都具有重要的应用价值和前景。由于InGaAs材料可以覆盖1-3um......
太赫兹（Terahertz,THz）是电磁波谱中微波与红外波之间的部分。太赫兹波具有许多独特性质,在安检和医疗成像,危险品与有毒有害物质检......
为获得低损伤、稳定性好的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InGaAs探测器台面成型工艺,采用Raman光谱技术和X射线衍射(XRD)技术,初步研究......
为研究铟镓砷焦平面的噪声特性,设计了两种不同吸收层掺杂浓度的InGaAs外延材料,采用标准工艺制备了平面型160×128元光敏芯片......
通过闭管锌扩散制备了256元平面型铟镓砷(In0.53Ga0.47As)线列探测器,室温下焦平面平均峰值探测率为5.79×1011cmHz1/2W-1,不均匀......
