铟镓砷相关论文
采用固态源分子束外延系统（SSMBE），以四溴化碳（CBr4）作为碳掺杂源，研究基于碳掺杂InGaAs材料的InP双异质结双极晶体管（DHBT）分子束外延生长......
对场助光电阴极的发展进行回顾，介绍了场助光电阴极的工作原理，系统总结了三种具有代表性的阴极结构，分别是InP/InGaAsP/InP、InP/InG......
采用固态源分子束外延系统(SSMBE),以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,系统研究了半绝缘InP衬底上碳掺杂InGaAs材料的外延工艺.为得到......
围绕新一代遥感探测仪器应用需求,中国科学院上海技术物理研究所在短波红外InGaAs焦平面探测器领域取得了一系列进展.通过低缺陷外......
本文采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上外延生长In0.82Ga0.18As.研究生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌、......
会议
在550℃的低温下，利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）方法在半绝缘InP衬底上生长出InP/InGaAs异质结双极晶体管（HBT）材料结构。通过......
当传统的天文导航系统应用于大气层内的载体时,在白天条件下极易受到强天空背景辐射影响而饱和,失去星体探测能力,严重影响了天文......
通过在感知层中加入定制化的微型光谱感知节点,近红外(NIR)光谱传感物联网(IoT)实现了NIR光谱分析技术和IoT技术的集成应用,进而可......
本实验采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP 衬底上制备In0.82Ga0.18As 材料。研究缓冲层厚度对In0.82Ga......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.......
空间应用短波红外InGaAs探测器的性能不断提高,对辐照损伤越来越敏感。通过实时测试的方法,研究了不同剂量和不同剂量率的γ辐照对......
随着激光技术、微波技术和微电子技术的发展以及半导体工艺的不断改善,超高速光电子器件的工作速度、工作精度得到了空前的提高,在......
单光子探测技术在国防军事、科学研究及民用生活等范畴具有广泛的应用前景,例如量子通信中的密钥分配、天文学中的激光测距以及医......
随着器件特征尺寸进入纳米领域并不断缩小,日益增大的静态功耗已经成为制约集成电路发展的重要因素。现有的金属氧化物半导体场效......
研制成功人眼安全1.57μm OPO激光机测距机，并在成都进行了室外测距实验，测程〉10Km，测距精度±5m，重复频率达20pps。该测距机采用紧凑......
由于InGaAs短波红外探测器具有可以室温工作、探测率高等优点，InGaAs线列红外焦平面在固外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台......
由于InGaAs短波红外探测器具有可以室温工作、探测率高等优点，InGaAs线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台......
该论文工作针对用于长波长光纤通讯中的InGaAs金属-半导体-金属光电探测器的暗电流高而导致的光接收机灵敏度降低这一致命缺点,采......
GaAs基QWIP由于具有优异的材料均匀性、灵活的能带剪裁以及成熟的生长制备工艺等优势在红外探测领域具有广泛的应用前景，但传统的Ga......
针对900~1700 nm波长无扫描激光三维成像雷达的需求,研制了一种规模为64×64的线性模式雪崩焦平面阵列(LM-APD-FPA),它由InGaAs/In......
用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率结果表明,InxGa1-xAs薄膜为......
采用低压金属有机化学气相沉积（LP—MOCVD）技术，两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层InxGa1-xAs的In组分对In0.......
采用低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.18......
文章介绍了一种基于比色测温原理研制的光纤测温仪,分析了比色测温原理,推导了其数学模型.该测温仪以硅和铟镓砷(InGaAs)光电二极......
未来，欧洲航天局将发射一系列新型气象卫星，更准确地测量重要的气象数据（如降雨量、水蒸气或者温度）。测量设备的核心是极灵敏的铟镓砷......
采用微波反射光电导衰减法测量了P^＋-InP／n-InGaAs／n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布，通过对非平衡载流子浓度在P^＋n结中衰减过......
本文采用独立组元法对In-Ga合金源汽相外延生长InxGa1-xAs体系的平衡状态作了热力学计算和分析,所得结果对认识该体系外延生长的规......
本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和......
给出利用低压金属有机化合物化学池相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长Ｉｎ，ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制，生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响......
传统分子束外延(MBE)技术是不能生长含磷化合物的,原因在于通常情况下磷会带来很高的饱和蒸气压,使得生长难于控制。近几年来兴起......
研究了以ＧａＡｓ和Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ为基体，当铟的摩尔分数（ｘ）不同时，后退火对ＩｎＧａ１－ｘＡｆ单层量子点光致荧光（ＰＬ）谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品（ｘ＝０．２３，０．３７，０．５０，１．０）的ＰＬ谱线宽度变窄和......
报导了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直耦合量子结在注入式激光器的制备工艺及其光致荧光谱，量热吸收谱和电致荧光谱的特性，该激光器的连续波波发光功率在室温......
研究了退火条件和Ｉｎ组份对分子束处延生长的ＩｎＧａＡｓ量子点（分别以ＧａＡｓａ或ＡｌＧａＡｓ为基体）光学特性的影响。表明：量子点中Ｉｎ含量的增加将导致载流子的定域能增加......
<正> 来自美国新泽西州各研究单位的一组研究人员对用于近红外成象的单片焦平面列阵进行了论证。列阵由砷镓铟(In-GaAs)PIN二极管......
研制成GaAs/InGaAs异质结功率FET（HFET），该器件是在常规的高-低-高分布GaAsMESFET的基础上，在有源层的尾部引入i-INGaAs层。采用HEFT研......
报道了MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs改变结构高电子迁移率晶体管（MHEMT）的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为0.8μm的器件，......
激光雷达作为一种重要的遥感手段,具有方向性强、分辨率高等特点,广泛地应用在人工智能、大气科学、环境监控等领域。其中,1.5 μm......
研制出３０个单元的ＩｎＧＡａＳｐ／ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ分别限制双异质结单量子阱激光器列阵，器件外微分量子效率达７８％，发向波长８０８ｎｍ，准连续输出的光功率达２７Ｗ。......
利用低压－金属有机化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法研制出ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ单量子阱大功率激光器并分析了阈值电流密度、特征温度和外微分量子疚线腔长的关系。......
本文国内首次报道了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法生长高质量的压、张应变交替ＩｎＧａＡｓＰ多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度Ｘ－ｒａｙ双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征。......
设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边......
光电探测器是实现光电检测及各种光电技术的核心部件。文章介绍采用Si和In GaAs两种材料集成制作的双波段光电探测器 ,它能同时探......
介绍了利用LPMOCVD技术在InP衬底上生长In0.53Ga0.47As材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了Ⅴ/Ⅲ比对表面形貌......
