太赫兹（Terahertz,THz）是电磁波谱中微波与红外波之间的部分。太赫兹波具有许多独特性质,在安检和医疗成像,危险品与有毒有害物质检测,生物医学研究,新一代通信技术和天文探测等方面表现出了广阔的应用潜力。太赫兹探测技术是太赫兹科学与技术领域的一个主要组成部分,是各种太赫兹应用的重要基础之一。近年来,多种太赫兹探测方式已经得到了广泛关注和深入研究,但发展可室温工作,响应灵敏度高,响应速度快,结构和制造工艺简单易于集成为线列和面阵的新型太赫兹探测器件依然是本领域的研究重点。针对上述问题,本文描述了一种可应用于室温高灵敏度太赫兹探测的新型强光电导效应机制,并基于此机制进一步推导了新型太赫兹探测器件的理论模型。随后我们基于窄禁带半导体材料铟镓砷(In_0.53Ga_0.47As)和锑化铟（InSb）制作了太赫兹探测器件,并搭建合适的测试系统对器件的响应性能进行了测试。此外,本文也对所制作的器件在室温太赫兹扫描成像领域的应用进行了初步探索。论文的主要内容和创新点如下:1.描述了课题组先前提出的新型强光电导效应机制,详细推导了基于这一机制设计和制备的太赫兹光电探测器件的理论响应率公式。这一机制本质上是利用光的波动性特征实现对光子能量远小于半导体禁带宽度的电磁波的探测,突破了基于光致跃迁效应的经典光电探测器件在太赫兹波段的应用局限性。2.基于提出的这一机制,采用三元窄禁带半导体In_0.53Ga_0.47As（IGA）薄膜材料和窄禁带半导体InSb材料,设计并制作了一批新型太赫兹探测器件;随后进一步优化器件设计,制作了对数螺旋天线耦合的IGA太赫兹探测器件。3.对上述两种太赫兹探测器件在室温下进行了响应性能标定,结果表明,IGA器件实现了噪声等效功率优于10^-11 W/Hz^0.5,响应时间常数约为10^-510^-6 s的高灵敏度快速探测;InSb器件实现了噪声等效功率最低可达10^-13 W/Hz^0.5,响应时间常数约为10^-5 s的高灵敏度快速探测。4.搭建变温测试系统,测试了IGA太赫兹探测器件在233²93 K温度区间内的亚太赫兹波段响应变化情况,以及InSb太赫兹探测器件在77²97 K温度区间内的亚太赫兹和太赫兹波段响应变化情况。通过将器件在变温条件下的响应变化情况与理论预测进行对比,并将标定得到的器件响应率与计算得到的理论值进行对比,进一步确认和发展了先前提出的新型强光电导效应机理。5.搭建了太赫兹扫描成像系统,使用制作的IGA太赫兹探测器件作为系统接收端,实现了对有机生物物体和金属物体的扫描成像,验证了器件在太赫兹成像领域的应用潜力。