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采用低压金属有机化学气相沉积（LP—MOCVD）技术，两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层InxGa1-xAs的In组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响。X射线衍射（XRD）用于表征材料的组分和结晶质量。用扫描电子显微镜（SEM）观察样品的表面形貌。实验结果表明，低温生长的缓冲层InxGa1-xAs的In组分影响高温生长的外延层In0.82Ga0.18As的结晶质量和表面形貌。测量得到四个样品的外延层In0.82Ga0.18As的X射线衍射谱峰半峰