制备大面积组分均匀的InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料

来源 :海南师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：woshizhuwoshizhu

【摘要】

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采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术制备大面积组分均匀的高晶格失配InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料．器件结构为：在直径为2英寸的S掺杂的InP衬底上采用两步生长法生长厚度

【作者】

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张铁民宁亚媛缪国庆符运良傅军

【机构】

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海南师范大学物理与电子工程学院,吉林女子学校,中国科学院发光学及应用国家重点实验室

【出处】

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海南师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2012年3期

【关键词】

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铟镓砷金属有机化学气相沉积红外探测器 InGaAs MOCVD Infrared detector

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采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术制备大面积组分均匀的高晶格失配InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料．器件结构为：在直径为2英寸的S掺杂的InP衬底上采用两步生长法生长厚度为2．8μm的In0.81Ga0.19As层，作为红外探测器的吸收层，然后再生长厚度为0．8μm的InP覆盖层．分析器件结构材料的缓冲层的作用，研究所制备的大面积材料组分均匀性问题．为制作红外探测器器件，以及研究红外探测器器件性能，做好基础工作．

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