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采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术生长InGaAs红外探测器器件结构．器件结构为：在掺杂的InP衬底上生长2．8μm的In0.53Ga0.47As吸收层，然后再生长0．8μm的InP覆盖层．采用Zn扩散技术得到P型，从而制备出平面型p—i—n探测器器件，并对128×2线列器件的性能进行研究．测量线列探测器的I-V曲线、光谱响应曲线．所制作的128×2In0.53Ga0.47As线列器件无盲元。线列器件的平均峰值探测率D^＊为3．98×10^11cmHz^1/2W^-1