缺陷能级相关论文
为分析质子电离对位移损伤效应的影响机制，基于栅控电荷分离方法，对比分析了横向PNP晶体管3 MeV质子辐照与反应堆中子辐照位移损伤效......
目前,基于III族氮化物半导体材料的发光二极管（Light-emitting diodes,LEDs）已经取得了巨大进步,尤其在蓝光LED领域。发光二极管具有......
在石油、煤炭等传统能源消耗量急剧增长的今天,具有可再生和利用成本低等优点的太阳能成了一个热点.随着新型太阳能电池一薄膜太阳......
随着社会的高速发展,人类对能源需求量日益增加。尤其是进入21世纪以来,城市化和工业化的日益普及,能源危机更加严峻,环境污染愈显......
氧化镓是一种新兴第四代宽禁带半导体材料（4.9 e V）,理论击穿场强可达到8 MV/cm,在高功率电力电子器件及深紫外探测器件领域具有广阔......
近年来,阻变存储器由于其结构简单、操作速度快、功耗低、读写速度快等优点而受到人们的广泛关注,成为下一代非易失性存储器的潜在......
二硫化钼(MoS2)作为一种新型的二维层状半导体材料,因其独特的分子结构、可观的禁带宽度等优良特性,已经成为了国内外材料相关领域......
随着对各种辐照射线及其辐射效应不断深入的研究，辐照技术已被应用于半导体材料、器件改性等多种领域。电子辐照技术作为现今主要寿......
通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺......
GaAs可饱和吸收体中的深能级缺陷(EL2缺陷)对其被动调Q性能有着重要的影响,因此有必要对EL2缺陷的微观结构及形成机理做进一步研究......
在改进的Ginder-Epstein模型下,得到了碱式聚苯胺的高激发态极化子.同普通极化子对比,它的晶格畸变更宽、更深,带隙中的两个缺陷能......
用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜 ,测量它们的光致发光 (PL)光谱 ,观察到两个发光峰 ,峰值能量分别为 3 .18(紫外峰 ,U......
介绍了采用高能12 MeV电子辐照效应来控制快速二极管少子寿命的方法,探讨了高能电子辐照对器件少子寿命τ、反向恢复时间(t)(n)和......
用基于密度泛函理论平面波赝势法首先对六方AlN本征点缺陷(氮空位、铝空位、氮替代铝、铝替代氮、氮间隙、铝间隙)存在时的晶格结......
以Zn(NO3)2和NaOH为原料,在不使用任何添加剂的条件下,采用水热合成法在不同的合成时间和合成温度下制备棒状纳米ZnO颗粒。通过X射......
本文介绍了晶体中缺陷的分类及其符号表示,缺陷的类化学平衡,并以橄榄石为例,介绍了有关利用缺陷化学判别矿物变形机制的研究方法......
分析了SiGeHBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件，对SiGeHBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子......
用实空间 Recursion方法计算 (Cd Se) 1 / (Zn Se) 1 应力半导体材料的总态密度、局域态密度、分波态密度 ,研究了局域特性和缺陷......
采用化学气相沉积法,通过金属镓和氨气的直接反应,在石英衬底上沉积出GaN纳米线。利用XRD和SEM对制备的GaN纳米线进行了结构和形貌......
在不同的氧气分压下, 用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2薄膜试样, 测试了试样的荧光发射光谱. 结果表明, 氧气分压为0.35和0.......
提出了双层有机电致发光二极管ITO／PPV／PBD／巳复合的理论模型。计算并讨论了温度和电压对其复合效率的影响：在电压为6～7．5V时，复合效率随......
以Free-Standing条件生长的超晶格原胞为计算模型，运用LCAO-Recursion方法研究了（GaN）n／（AlN）n（001）应变层超晶格的电子结构．由计算结果分析......
一维光子晶体缺陷模的光谱特性与缺陷模的结构紧密相关。当缺陷模中包含有多个缺陷时,将导致光子禁带中出现多个分立的缺陷能级,形......
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱（PL）、深能级瞬态谱（DLTS）以及霍尔测试等手段研究了I......
从第一个晶体管的发明、到大规模集成电路以及各种电子器件的广泛应用,半导体在日常生产、生活中发挥着越来越重要的作用。在半导......
用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关，对线性模式输出超短电脉冲响应特性进行了测试，并对所测试的实验结果进行理论分析。分别给......
材料能带以及缺陷能级状态是窄禁带半导体材料芯片制造过程中的重要参数。红外调制光致发光(Photoluminescence,PL)光谱仪是一种无......
ZnO为直接带隙的宽禁带半导体,室温下禁带宽度为3.37 eV;特别的,其激子束缚能高达60 meV。因此,ZnO在室温或更高温度下的紫外发光......
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宽带隙半导体碳化硅(SiC)具有高热导率、高电子饱和漂移速度以及大的临界击穿场强,使得其有望成为大功率电力电子器件的首选材料。......
发光二极管(LED)因其环保、寿命长和高的能量转换效率而广泛应用于照明、LCD背光、显示、紫外固化、消毒杀菌等方面。LED特别是大......
采用高温固相反应法制备了Sr0.9M0.1Al2O4：Eu2＋,Dy3＋（M=Mg,Ca,Ba）长余辉发光材料,并对其晶体结构、光谱性质、余辉特性进行了分析.X射线......
用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、α-Al2O3(0001)和MgAl2O4(111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到430nm的蓝光......
高频电力电子技术的快速发展对电路中常用主开关器件(如IGBT、GTO及IGCT等)的性能要求不断提升,同时要求与之配套使用的续流二极管......
长余辉材料是一类光照时能吸收和储存激发能,停止激发后能把储存的能量以发光的形式逐渐释放出来的固体发光材料,发光时间可达几小......
氧化锌是一种重要的宽禁带隙为3.37eV的半导体材料,它的激子束缚能高达60meV,因此氧化锌材料在紫外光电器件方面有巨大的应用潜力......
利用电子辐照小功率二极管的研究结果表明，电子辐射可引起硅中少子寿命降低，二极管正向压降增加和零偏电容减少；还可引入三个缺陷能级......
本文介绍10—12MeV高能电子对MOS样品及已封装硅二、三极管辐射效应的实验研究结果。分析了高能电子辐射效应的特点及其实用意义。......
在实际生产和研究中所使用的半导体材料都并非理想结构,都含有缺陷。它们可能是外来原子（杂质）,也可能是本身晶体结构方面的缺陷。半......
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对正交碘化铟(InI)晶体可能存在的6种本征点缺陷(碘空位、铟空位、碘占铟位、铟占碘位、碘......
硅元素以其良好的电子性质在半导体工业中发挥着重要作用。其中硅纳米团簇及硅纳米线是硅元素重要的纳米结构，由于其良好的电学和光......
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙半导体,其室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,作为短波长光电子材料在半导体发光器件、半......
本论文针对当前薄膜型场发射冷阴极研究的热点问题——如何提高场发射电流密度并降低阈值电压,分别从厚度、表面以及结构调制的角......
采用溶胶-凝胶法在铟锡氧化物（ITO）导电玻璃基底上制备了不同掺杂浓度的Cu：ZnO薄膜。采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了薄膜样品......
