氧气分压对反应溅射制备TiO2薄膜带隙的影响

来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户：JohnWaken19

【摘要】

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在不同的氧气分压下, 用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2薄膜试样, 测试了试样的荧光发射光谱. 结果表明, 氧气分压为0.35和0.65 Pa时, 荧光光谱在370, 472和514 nm处出

【作者】

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赵青南李春领刘保顺赵修建

【机构】

：

武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室

【出处】

：

光谱学与光谱分析

【发表日期】

：

2004年5期

【关键词】

：

氧气分压二氧化钛薄膜带隙结构直流反应磁控溅射法制备荧光发射光谱缺陷能级 TiO2 thin films band-gap structure o

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在不同的氧气分压下, 用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2薄膜试样, 测试了试样的荧光发射光谱. 结果表明, 氧气分压为0.35和0.65 Pa时, 荧光光谱在370, 472和514 nm处出现发射峰; 氧气分压为0.10和0.15 Pa时, 发射光谱峰出现在370和490 nm处. 试样带隙为3.35 eV. 0.35和0.65 Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有两个分别低于导带底0.72和0.94 eV的缺陷能级, 0.10和0.15 Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有一个位于导带底0.23和1

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