纳米晶硅相关论文
纳米硅-碳负极具有高比容量和适宜的嵌/脱锂电位,将其与高性能三元正极材料匹配,是最有可能应用于高性能锂离子电池的负极材料。然......
使用射频等离子体化学气相沉积(PECVD)技术制备纳米晶硅.用氩稀释硅烷(5％)作为气源,研究了射频功率、SiH4分压、反应气中氢含量对所......
会议
利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维......
能源问题是人类亟需解决的问题之一。与传统的化石能与核能相比,太阳能作为一种清洁能源,由于其具有来源广、无污染、能量巨大等优......
本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0～ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所......
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/......
有序介孔HSiO1.5是一种新合成的氢化介孔氧化硅材料，它完全由只有三个键互相交联的HSi(OSi)3单元构成.有序介孔HSiO1.5的有序介......
采用对非晶氧化硅薄膜退火处理方法获得纳米晶硅与氧化硅的镶嵌结构。室温下观察到峰位为２．４ｅＶ光致发光。系统地研究了不同退火温度对薄......
微电子工业的飞速发展,迫切需要研制新型的、高效的半导体发光材料。硅是目前最重要也是应用最为广泛的半导体材料,然而硅是间接带......
该报告研究工作的核心是力图解决纳米硅的发光效率问题,为最终实现硅基发光器件创造条件.首先分析制约纳米硅发光的不利因素.通常......
Si基发光器件的研究是实现光电单片集成的重要环节。体硅(c-Si)是间接带隙材料，辐射复合几率低，因而发光效率低。本论文主要研究低维......
镶嵌在二氧化硅介质中的纳米晶硅(nc-Si/SiO2)因机械强度高，发光稳定性好，制备工艺与集成电路制备工艺相兼容，所以具有广阔的应用前景......
纳米晶硅薄膜具有高的光吸收系数、高稳定性及量子尺寸效应等特性，纳米品硅/晶体硅异质结太阳能电池具有实现高效率太阳能电池的潜......
学位
纳米晶硅(Si-NC)被认为是Er的有效宽带光敏化剂之一。Si-NC在可见光区有非常宽的宽带吸收，其吸收截面是Er的一万多倍。当Er掺入Si-N......
采用热丝化学气相沉积法制备了不同B2H6掺杂比例(B2H6/SiH4为2%~15%)的p型纳米晶硅薄膜,通过探索B2H6掺杂比例、晶化率、光学带隙......
采用热丝化学气相沉积法在不同气压(1～8 Pa)下沉积了p型纳米晶硅薄膜,研究了沉积气压对薄膜晶化率和电输运性能的影响.结果表明,薄......
本文综述了硅基薄膜材料的发展历程;提出了一些促进硅基薄膜电池技术进步的思路;并对硅基薄膜电池的发展进行了有益的探讨,对最新......
采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术制备n型纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜,系统地研究了沉积参数,特别是掺杂浓度对薄膜微结构、电学性质和......
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅.为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/S......
采用AFORS-HET软件对超薄异质结太阳能电池的窗口层、本征层的掺杂浓度、厚度、带隙等参数进行了数值模拟和优化,结合实际具体分析......
摘 要：采用AFORS-HET软件对超薄异质结太阳能电池背面场的掺杂浓度、厚度、带隙等参数进行数值模拟和优化，结合实际具体分析了每个参......
将Si离子注入到热氧化生长的SiO2层,分别进行常规退火和快速退火制得含纳米晶硅薄膜。在室温下测量了样品的光致发光谱及其与退火......
报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10s可以形成纳米晶硅,其喇曼散射表明,在所形成的纳米晶硅在薄膜中分布是随机的,其......
用脉冲激光（Nd：YAG激光）沉积技术在硅基上沉积富硅SiO2薄腊（SiOx，x〈2），沉积时氧气压力分别为1．33，2．66，3．99，5．32，6．65，7．98Pa，膜的厚度约为300nm。随......
以SiH4和H2为气源，采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备了纳米晶硅薄膜，利用傅里叶变换红外光谱技术对不同激发频率下薄膜的......
为制备高质量的纳米晶硅薄膜,采用等离子体化学气相沉积方法,以硅烷、高纯氢为源气体,氢稀释率保持在98%,衬底温度200℃,反应气压1......
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度，在PECVD设备和干法刻蚀设备中，利用H2／SF6......
报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10 s可以形成纳米晶硅,其拉曼散射表明,所形成的纳米晶硅在薄膜中的分布是随机的,......
采用脉冲激光沉积制备了掺铒Al2O3／Si多层薄膜，在淀积过程中脉冲激光溅射产生的高能量Er原子渗透进入非晶硅层，并引入了额外的应力，在......
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法（DMOL3程序），在广义梯度近似（GGA）下，计算了硅纳米晶（Si75 H76）在B和P掺杂和乙基（-C H2 C H3）、异丙基......
用热丝助化学汽相反应法沉积了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜，测量了它的喇曼散射谱，由诱射电子显微镜直接测量了晶粒的大小和分布，应用声子强限制模型和球形粒......
利用多重散射团簇方法计算了单晶硅的Ｋ边ＮＥＸＡＦＳ谱，研究显示ＮＥＸＡＦＳ谱包含了导带态密度的信息。同时在模拟ｃ－Ｓｉ的团簇引入一定数量的空位，构造了纳米晶硅......
采用单-双靶交替溅射法低温沉积了纳米晶硅多层薄膜（nc-SiOx/a-SiOx），通过改变a-SiOx势垒层的厚度和化学成分比例，实现了纳米晶硅多层......
本文报道对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜在600～620℃温度下快速退火10s可以形成纳米晶硅(nc-Si),其Raman散射表明,在所形成的nc- Si在薄......
用CO2红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大,则SiH4受热温度越高,纳米Si的成核率越高,纳米Si核的密度越大,每一......
采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备了富硅氧化硅薄膜,利用XRD衍射仪,傅里叶变换红外透射光谱仪以及紫外-可见光分光光度计......
采用等离子体化学气相沉积（PECVD）技术在不同N_2O流量条件下制备了镶嵌有纳米晶硅（nc-Si）的富硅氧化硅（SiOx）薄膜,利用透射电镜（TEM）,X射线......
一种新型半导体材料──纳米晶硅李建军，魏希文，万明芳（大连理工大学半导体研究室１１６０２３）一、引言继非晶硅、多晶硅、微晶硅之后，纳米晶硅是近......
采用热丝化学气相沉积技术（HWCVD），系统地研究了纳米晶硅层（尤其是本征缓冲层）的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc-Si：H／c-Si异质结太......
通过等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备粒径大小可以控制的硅纳米晶体,并对制备的纳米晶硅进行了在线表面改性.实验结果表明：成......
以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢......
采用磁控溅射方法制备了含镍过渡层的富纳米晶硅二氧化硅薄膜．对薄膜退火后的微观结构和发光性能进行了试验分析．结果表明，在高温退火......
采用热丝化学气相沉积（HWCVD）技术制备n型纳米晶硅（nc—Si：H）薄膜，系统地研究了沉积参数，特别是掺杂浓度对薄膜微结构、电学性质和缺陷态......
随着科学技术的发展,现有的微电子技术已难以满足由其支撑的现代电了技术不断提出的更高要求。用光子代替电子作为信息的载体,从微......
采用射频磁控溅射镀膜系统,在玻璃衬底上制备了非晶硅(α-Si)/铝(Al)复合薄膜,结合氮气(N2)气氛中低温快速光热退火制备了纳米晶硅......
