激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的制备参数和退火工艺的研究

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用CO2红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大,则SiH4受热温度越高,纳米Si的成核率越高,纳米Si核的密度越大,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少,从而所得的纳米Si粒小而均匀.当激光强度减小到一个低限阈值,则SiH4温度太低,不能裂解.SiH4的流速越快,则纳米Si成核后生长期越短,纳米Si粒也小而均匀.当SiH4流速快到一个高限阈值,则SiH4受热时间太短,升不到裂解所需的高温.以上2个产生纳米Si的阈值正相关.纳米Si制取后退火脱H,3440cm-1光谱带红移并增强,2150
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