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采用热丝化学气相沉积（HWCVD）技术制备n型纳米晶硅（nc—Si：H）薄膜，系统地研究了沉积参数，特别是掺杂浓度对薄膜微结构、电学性质和缺陷态的影响，获得了器件质量的n型nc—Si：H薄膜。制备了nc—Si：H／c-Si HIT（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer）结构太阳电池，研究了异质结结构参数对电池性能的影响，初步得到电池性能参数如下：Voc=483mV、Jsc=29．5mA／cm^2、FF=70％、η=10．2％。