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以SiH4和H2为气源，采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备了纳米晶硅薄膜，利用傅里叶变换红外光谱技术对不同激发频率下薄膜的微结构变化进行了研究．结果表明，薄膜中的氢含量（摩尔分数）和硅氢键合模式与激发频率有密切关系，提高激发频率可降低薄膜中的氢含量，并且硅氢键合以SiH2为主．
激发频率对纳米晶硅薄膜微结构的影响
【摘 要】
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以SiH4和H2为气源，采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备了纳米晶硅薄膜，利用傅里叶变换红外光谱技术对不同激发频率下薄膜的微结构变化进行了研究．结果表明，薄膜中的氢含
【机 构】
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上海工程技术大学材料工程学院
【出 处】
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上海工程技术大学学报
【发表日期】
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2012年3期
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