【摘 要】
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使用射频等离子体化学气相沉积(PECVD)技术制备纳米晶硅.用氩稀释硅烷(5％)作为气源,研究了射频功率、SiH4分压、反应气中氢含量对所制备的硅烷结构、性质的影响.XRD、TEM、IR的表征结果表明:功率不高于40W,制备的纳米硅是非晶结构;功率高于40W,纳米硅结晶,且晶粒大小随射频功率的增加而增大;反应气中掺入氢气,所制备的纳米硅晶粒大小减小,粒径分布更均一;SiH4分压对所制备的纳米硅晶大
【机 构】
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四川大学材料科学与工程学院,610064
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使用射频等离子体化学气相沉积(PECVD)技术制备纳米晶硅.用氩稀释硅烷(5％)作为气源,研究了射频功率、SiH4分压、反应气中氢含量对所制备的硅烷结构、性质的影响.XRD、TEM、IR的表征结果表明:功率不高于40W,制备的纳米硅是非晶结构;功率高于40W,纳米硅结晶,且晶粒大小随射频功率的增加而增大;反应气中掺入氢气,所制备的纳米硅晶粒大小减小,粒径分布更均一;SiH4分压对所制备的纳米硅晶大小基本无影响.
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