单晶硅和纳米晶硅空带的NEXAFS理论研究

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利用多重散射团簇方法计算了单晶硅的K边NEXAFS谱,研究显示NEXAFS谱包含了导带态密度的信息。同时在模拟c-Si的团簇引入一定数量的空位,构造了纳米晶硅的模型,MSC计算证实吸收边位置上升约0.5eV,说明纳米晶硅的禁带比c-Si的展宽了。
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