碳化硅薄膜相关论文
由于对能源需求的不断增加和能源的有限供应已经开始制约世界经济的发展,能源问题越来越受到人们的关注,所以人们把目光投向新型、......
SiC薄膜作为半导体在电学上的应用和作为保护膜或硬质薄膜等力学应用已经有了近一个世纪的研究，本文围绕碳化硅所具有的一些独一无......
作为第三代半导体,碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高热导率、高饱和电子速度,高击穿电场等特性,这就决定了碳化硅器件可以在高温大功......
SiC是一种宽带隙半导体材料,它具有优秀的物理和化学性能,在高温、高频、高压、抗辐射、大功率电子器件和光电子器件等领域有着广......
能源的日益匮乏和环境问题的日趋严重极大地推动光伏产业的迅速发展，低成本和高光电转换效率是太阳能电池应用化的重要指标。高光电......
本文利用自主研发的超高真空物理气相沉积设备在基材（Ti-6Al-4V）上沉积出了性能优异的SiC薄膜，并创新性地使用Al过渡层作为薄膜与基材......
目前,硅基浮栅存储器的尺寸随着集成电路技术的发展而不断缩小,当半导体存储器的隧穿层厚度与电子相干波波长相同时,器件会失去非......
本工作采用脉冲激光烧蚀沉积技术在低温和较低激光能量条件下沉积了非晶碳化硅(SiC)薄膜，对SiC薄膜的真空热退火和激光退火晶化特性......
SiC作为一种优秀的微电子材料，以其禁带宽、饱和电子漂移速度大、临界雪崩击穿电场高和热导高的特点，在大功率、高频、耐高温、抗辐......
利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC单晶薄膜,通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度......
碳化硅薄膜因其具有一系列优异的特性，被视为制作电子元件的重要材料，性能好、用途广。高质量SiC薄膜的生长，不仅有利于解决自补偿问......
以SiC超细粉为原料、利用热等离子体PVD(TPPVD)技术快速制备出了优质非晶态和纳米晶SiC薄膜.用扫描电子显微镜、高分辨透射电子显......
采用热丝化学气相沉积法在Si（111）、Ti（101）衬底上制备了SiC薄膜，并利用X射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）对薄膜的结构、成分及化......
提出一个用磁控溅射制备碳化硅薄膜的简化热力学模型。首先选出构成β－C3N4,P－C3N4或－(C2N2)n－的最可能表面反应,然后通过求解这个热力......
SiC薄膜具有结构不易控制,透明性较差的特点.采用PECVD方法淀积的纳米SiC薄膜经光学透过率测试表明,在637 nm和795 nm处有高的光透......
SiC是一种宽带隙半导体材料，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。介绍了国外对该材料及其薄膜进行辐......
在850 ℃的低温下,在Si(100)衬底上生长了3C-SiC薄膜,气源为SiH4和C2H4混合气体.用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱......
采用Raman和荧光测量研究了低碳含量a-Si1-xCx∶H(x≤20%(原子比))薄膜的结构特征，并选用两种不同波长的激光来激发这些材料。采用6......
采用热丝化学气相沉积法,以铁作为催化剂,在较低的衬底温度合成纳米SiC薄膜.铁粒子是在400Pa氢气的气氛中,通过用脉冲激光烧蚀铁靶......
用双射频共溅射和溅射后退火的方法在单晶Si（111）衬底上制备了SiC薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）及原子力显微镜（AFM）分析了样......
介绍了国际上近年来碳化硅薄膜的研究情况,碳化硅外延生长大多采用溅射法(sputting)、化学气相淀积(CVD)和分子束外延(MBE).对生长......
讨论了在热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜的过程中,预处理工艺对SiC成膜的影响.采用硅烷、甲烷作为反应气......
分析研究了热丝化学汽相沉积(HFCVD)法工艺参数的变化对SiC薄膜质量的影响.结果表明 ,合理的选取工艺参数,可在较低温度(700～900℃)......
应用电子束蒸发硅，霍尔离子源电离甲烷，并辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅（RBSiC）基底上沉积了碳化硅（SiC：H）改性薄膜。X射线衍射（XRD）测试......
太阳能是一种取之不尽、用之不竭的可再生洁净能源,作为太阳能利用的重要手段,对太阳电池的研究与开发也变得日益重要。非晶硅薄膜......
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上合成了纳米晶态SiC薄膜.通过X射线衍射(X......
选用SF6/O2混合气体对等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法制备的碳化硅（Si C）薄膜进行了浅槽刻蚀,并通过正交试验设计方法,研究了感应......
期刊
用等离子体刻蚀(PE)工艺,以四氟化碳(CF4)和六氟化硫(SF6)以及它们与氧气(O2)的混合气体作为刻蚀气体分别对Si基外延生长的β-SiC......
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2／Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长。实验结果表明，H2表面预处理温度过高或时间过长会导致......
以4H-SiC为衬底,在不同衬底温度下进行SiC薄膜的同质外延生长。利用反射式高能电子衍射（RHEED）、扫描电子显微镜（SEM）、拉曼（Raman）等测......
碳化硅薄膜有密度小、热导率高、热膨胀系数低、硬度高等优异的性能。介绍了制备碳化硅薄膜的2种常用方法,即化学气相沉积和磁控溅......
利用正交实验方法,探讨PECVD法制备碳化硅薄膜沉积参数变化对其减反射性能的影响,并进一步研究不同沉积参数对薄膜沉积速率和折射......
采用固源分子束外延技术,以Al2O3为衬底,在1100℃下制备SiC薄膜。利用同步辐射X射线掠入射(GID)实验技术对生长的样品的界面结构进......
众所周知，单晶硅是当今微电子器件的主要基底材料。硅基器件占了IC和 分立器件的绝大部分份额。然而，作为电子器件用材......
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,以甲烷、硅烷和氢气为反应气体在单晶硅衬底上沉积碳化硅(SiC)薄膜材料.通过X射线衍射(XRD)、傅......
SiC作为第三代宽带隙半导体材料,具有许多优异特性,在半导体器件中有着广泛的应用。石墨烯作为一种新型的二维碳元素新材料,具有一......
