非晶态和纳米晶碳化硅薄膜的制备及力学性能

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bruce_8_8_8

【摘要】

：

以SiC超细粉为原料、利用热等离子体PVD(TPPVD)技术快速制备出了优质非晶态和纳米晶SiC薄膜.用扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、X射线衍射和X射线光电子谱、红外分光

【作者】

：

王新华

【机构】

：

浙江大学材料系

【出处】

：

真空科学与技术学报

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

非晶态纳米晶碳化硅薄膜制备力学性能 PVD 扫描电子显微镜 X射线衍射 Silicon carbide Films Microstructure Mec

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以SiC超细粉为原料、利用热等离子体PVD(TPPVD)技术快速制备出了优质非晶态和纳米晶SiC薄膜.用扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、X射线衍射和X射线光电子谱、红外分光谱对薄膜的微结构进行了观察和分析.用纳牛力学探针测量了薄膜的力学性能.研究结果表明,只有当基板温度低于600℃、粉末供给速度不超过20mg/min时可沉积非晶态SiC薄膜,最大沉积速度达到25nm/s;当基板温度在600℃～1000℃时沉积的β-SiC薄膜是晶粒大小为3 nm～5 nm的纳米晶薄膜,最大沉积速度达到230 nm/s

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