太阳能是一种取之不尽、用之不竭的可再生洁净能源,作为太阳能利用的重要手段,对太阳电池的研究与开发也变得日益重要。非晶硅薄膜PIN太阳电池有很多的优点：1、经济优势明显,衬底,制备材料廉价。2、光吸收系数大,效率高。3、用途很广泛,产品易于实现集成化。这些优点使其成为21世纪最有前途的太阳能电池之一。作为薄膜PIN太阳电池的窗口材料,P层材料是比较重要的,它不仅要求有高的电导率,还要求有高的光透射率,而且膜厚度要求只有20-100nm左右。本论文从理论和实验两方面对PIN薄膜太阳电池的P层进行了系统的研究。我们利用三室连续PECVD系统,采用RF-PECVD法在7059载玻片上沉积了a-SiC：H薄膜和掺硼量不同的a-SiC：H薄膜,并且研究了影响它们生长的各个环节,包括：衬底温度,生长室压强,辉光功率,掺杂浓度等对薄膜生长速率,光学带隙,电导率等的影响。从而找到适合薄膜生长的最优工艺。最后我们得出结论,当薄膜的沉积工艺为：辉光功率24w,生长室压强74Pa,衬底温度132℃,本征SiC浓度5%,气体总流量80sccm,生长时间10min,硼掺杂1%时,我们可以得到a-SiC：H薄膜的光学带隙为3.21ev,电导率为4.5×10-7S／cm.。