SiC作为一种优秀的微电子材料，以其禁带宽、饱和电子漂移速度大、临界雪崩击穿电场高和热导高的特点，在大功率、高频、耐高温、抗辐射器件及光电子集成器件方面具有重要的应用价值而备受重视。工艺上又可以与集成电路兼容，被期待作为新型的光电材料应用于大规模光电集成电路（OEIC），因而日益成为关注焦点。然而由于其间接带隙的特点，碳化硅发光二极管（LED）不能像氮化镓，磷化镓发光二极管那样有效发光，要实现光电集成，就必须有能够高效地发光和接收光信号的能力，因此人们竞相研究能提高SiC发光效率的方法。 本论文采用射频磁控溅射方法，制备了SiC薄膜，Al颗粒掺杂的SiC薄膜，SiC／ZnO／Si薄膜，ZnO／SiC／Si薄膜，以及ZnO／SiC的多层膜，然后在N₂气氛保护下适当对它们进行了不同温度的退火处理，然后进行光致发光（PL）谱的测试，通过XRD，FTIR，XPS，SEM，TEM，AFM等测试手段分析了薄膜的结构和表面状况，并与光致发光的结果进行了对比研究。 研究结果表明，SiC薄膜的结构和发光性质与退火有很大的关系。随着退火温度的升高，薄膜的结晶程度变好，FTIR谱中在780cm^-1处的Si-C峰也在向高波数的方向移动，是由于膜中的Si_1-xC_x的化学计量比发生变化。并且我们也解释了各个发光峰的来源。当把Al颗粒掺杂SiC中时，阻碍了Si和C充分生成SiC和SiC结晶过程。掺杂的Al颗粒越多，上现象就越明显，在FTIR谱中Si-C峰会移至(735cm^-1)，而且更多的Si的颗粒会形成，从而较大程度上改善了SiC的发光性质。SiC／ZnO／Si薄膜有较好的发光性质，未退火前，在370nm处有较强的发光峰，而经退火后，在412nm