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以4H-SiC为衬底,在不同衬底温度下进行SiC薄膜的同质外延生长。利用反射式高能电子衍射（RHEED）、扫描电子显微镜（SEM）、拉曼（Raman）等测试手段,对生长样品的结构和结晶质量进行了表征。根据测试结果发现,在衬底温度为1200℃时能够得到质量较高的薄膜,在另外两个温度（1100℃和1300℃）条件下得到的薄膜质量是较差的。