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SiC薄膜具有结构不易控制,透明性较差的特点.采用PECVD方法淀积的纳米SiC薄膜经光学透过率测试表明,在637 nm和795 nm处有高的光透过率.并且当薄膜的厚度增大时,仍然具有高透过率的特性.这一结果表明,PECVD技术具有制备结构均匀、透明的纳米SiC薄膜的优势.同时,在与非晶SiC薄膜进行对比中发现非晶SiC薄膜的透过率不如纳米SiC薄膜.