铁诱导低温SiC薄膜的合成

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dark_hu

【摘要】

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采用热丝化学气相沉积法,以铁作为催化剂,在较低的衬底温度合成纳米SiC薄膜.铁粒子是在400Pa氢气的气氛中,通过用脉冲激光烧蚀铁靶5min引入的.用扫描电镜和拉曼谱对样品进行

【作者】

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于威郑志远刘丽辉傅广生

【机构】

：

河北大学物理科学与技术学院

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2002年3期

【关键词】

：

铁诱导 HFCVD 催化剂碳化硅薄膜合成 SiC nanorodsHFCVDFe catalyst

【基金项目】

：

河北省自然科学基金

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采用热丝化学气相沉积法,以铁作为催化剂,在较低的衬底温度合成纳米SiC薄膜.铁粒子是在400Pa氢气的气氛中,通过用脉冲激光烧蚀铁靶5min引入的.用扫描电镜和拉曼谱对样品进行了分析.扫描电镜观察到了直径为10-30nm,长度短于1μm的无序SiC棒.拉曼谱中的横向生子模式的红移表明生长方向的限制效应.所有这些说明Fe粒子的大小将影响到SiC棒的生长.

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