多晶硅栅相关论文
本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅......
研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型。采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用......
本文主要对晶圆制造生产线上,多晶硅栅刻蚀工艺在工作中所碰到的刻蚀残留所造成的良率低下和线上缺陷检测异常的案列,进行深入的分......
随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅耗尽效应,过高的栅电阻和PMOS管的硼穿通效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.......
本文选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMO......
引领世界半导体的公司如IBM也纷纷采用SOI技术。国内在0.18微米节点以下尚无先进SOI制造平台。本文依托宏力先进工艺制程设备,与宏......
随着器件尺寸的缩小,寄生电阻对器件性能的影响不可忽视,为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响,需要有准确的......
半导体制造技术中等离子刻蚀工艺是电路图形最终形成的关键步骤,也被称为半导体制作工艺中的雕刻艺术,刻蚀腔体则相当于雕刻工具,......
采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深......
采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺，进行１．５～２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比，做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８～２３Ｖ，５Ｖ工作电压下沟道调制效应较小，相应的欧拉电压可达......
研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型.采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用......
借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了８０ＫｅＶ，２．５×１０＾１４，５×１０＾１４，１×１０＾１５，２×１０＾１５和３×１０＾１５ｃｍ＾－２ＢＦ＾＋２注入多晶桂栅在９００℃，３０ｍｉｎ热退火条件下，氟在多晶硅栅中的分布剖面，并对氟在多晶硅和......
采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺，进行１．５￣２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比，做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８￣２３Ｖ，５Ｖ工作电压下沟道调制效应较小，相应的欧拉电压可达......
本文概述低温ＣＭＯＳ的器件物理及其中的互连特性。详细分析了ＭＯＳ结构中载流的冻析效应，低温迁移率和漂移速度，并讨论了ＭＯＳ器件的低温阈值特性。对......
本文介绍了多晶硅栅ＭＮＯＳ结构抗辐射的性能；验证了它能有效地抑制ＭＯＳ器件阈电压的漂移，是一种优越的抗辐射加固材料。......
通过工艺模拟和实验，在引入多晶硅栅等效电容概念的基础上，建立了ＭＯＳ器件亚阈特性的修正模型，并讨论了多晶硅栅离子注入杂质类型对器件亚......
在深入分析氟在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了氟在多晶硅栅中的分布，模拟结果与......
采用三层胶光刻工艺以及ＳＦ６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工作，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。......
分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉｄｓ－Ｖｇｓ亚阈特性的辐射影响应。结果表明，多晶硅栅光刻......
本文对 L=0.55μm LDD MOSFET’s的杂质分布及侧墙工艺进行了研究,提出了亚微米 LDD MOSFET’s集成电路的优化工艺设计.
In this ......
本文通过对气体压力，射频功率，电极间距，气体流量等初始工艺参数的选取研究，优化工艺，从而得到优化的多晶硅刻蚀工艺，对１μｍ多晶硅条宽，ＣＤ严格......
半导体表面二氧化硅层中的可动离子对半导体器件,特别是MOS器件的可靠性和稳定性有着极其重要的影响。长期来,人们为了提高半导体......
在离子注入埋层的硅片上,以SiO2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延（SEG）单晶硅层,并在此外延层上制作了P+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅......
由于大多数器件和功能集合于单片,使微电子领域得到飞速发展;再加上全面的数据处理,更使集成电路的电特性、可靠性以及成本方面得......
本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅......
为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅（SCR）的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS-SCR）器件静电放电（ESD）防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS......
<正> 我们七七一所四车间光刻QC小组,先后经过12年的QC活动,发表QC成果111项,攻克了IC制造中一个个质量和技术难关,为我国国防科研......
