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研究了高质量超薄氮化硅／氮氧化硅(N／O)叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性，制备了栅介质等效厚度小于2nm的N／O复合叠层栅介质，该栅......
随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅栅耗尽效应、过高的栅电阻和PMOS管的硼穿透效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障......
随着栅氧化层厚度的不断减小,硼穿通问题变得越来越严重。特别是在表面沟道器件中,非常容易出现硼穿通现象。为了减小P型多晶硅栅......
