填隙原子相关论文
无限层铁氧化物SrFeO2于2007年由Y.Tsujimoto等发现,与高温超导体SrCuO2同构,是一种奈尔温度高达473K的G型反铁磁绝缘体.本工作以SrF......
对分子束外延生长带边激子发光的Si1-xGex/Si量子阱结构,通过Si离子自注入和不同温度退火,观测到深能级发光带和带边激子发光的转变.Si离子注入量子阱......
用低频扭摆和弹性后效测量了掺氧的超纯Nb的Snoek-K(o|¨)ster弛豫,研究了氧含量、形变量以及退火处理等因素对S-K弛豫的影响.实验......
采用放射性同位素技术测定了在渗~(14)C过程中~(14)C在不同量室温形变工业纯铁奥氏体中的扩散系数,并对渗层进行自射线照相。结果......
本文分析了碲镉汞 (HgCdTe或MCT)中Te沉淀相、Hg空位的拉曼散射峰 ,以及碲镉汞表面完整性与它的二级拉曼散射峰的关系。MCT中的Te......
用低频扭摆测量了掺氧的超纯Ta的Snoek-Kstcr弛豫.观察到了四种不同类型的S-K弛豫过程.在氧含量较低因而位错具有非饱和的填隙原......
晶体,作为自然界的一种特殊结构的物质,其实离我们并不遥远。那么,晶体到底具有哪些特性,又有哪些缺陷,这些缺陷在我们实际应用中......
对晶态及非晶态Ti2Cu0.8Ni0.2贮氢合金进行氢化。若吸氢程度不高,氢原子是填隙原子,进入钛四面体,对合金结构影响不大,保持晶态及非晶态状态。若提高......
通过改变制备条件,研究了Ag-SiO_2薄膜中的缺陷对电阻翻转效应的影响.对比不同的热处理实验条件,发现在120℃退火的样品经forming......
本文报道了标题系列配合物M2H2GeW10V2O40·xH2O(记为M2GeW10V2,M=Ni2+,Co2+,Mn2+,Zn2+,Cu2+)的合成,利用红外、紫外、电子自旋共振对其进行了表征。还研究了配合物的热解性质......
通过晶体生长过程对砷化镓的缺陷性质进行了研究,特别着重研究了有关电学性质,发光性质的变化,以及由于偏离化学计量比的晶格常数......
一、引言自1948年第一只 Ge 晶体管问世以来,半导体材料正式登上了电子工业的历史舞台。但是,Si 以它独到的特性,很快在半导体材......
目前很多无位错硅单晶经过Sirtl腐蚀剂或改良的Sirtl腐蚀剂腐蚀后,在横断面上可看见呈漩涡状分布的浅底蚀坑。所谓硅单晶中微缺陷......
NTDCZSi 在800~100℃退火时会产生高浓度的与 CZSi 的热施主和新施主不同的一种新型施主态——中照施主.本文研究了 NTDCZSi 的退火......
用硅烷的辉光放电分解伴随着锂蒸发来制备掺锂的非晶硅薄膜.测量了薄膜的直流电导率与温度以及与所加的测试电压的关系.发现在温度......
本文用递归方法计算了金刚石结构晶体中T_d对称填隙原子的振动谱.研究了不同参数填隙杂质原子的声子局域模和共振模.
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碳基材料是几种面对等离子体材料的候选材料之一,是目前国际上聚变装置广泛应用的材料,未来的装置也将继续使用它。但是,应用中发......
The electronic structure and atomic magnetic moments of clusters NdFe6, NdFe6N3 and Fe8 with a dumbbell atom-pair in rar......
<正> 回顾历史展望未来,能够启发人们思考问题,使人们有可能发现新概念、新事物和新理论,这种方法在教育上具有十分重要的意义。因......
LMTO方法对新型稀土硬磁材料(ThMn<sub>12</sub>型结构)的电子结构研究祁守仁,黄晓东,张岩,黄新堂,李永平,张海峰(华中师范大学,430070,武汉;中国科技大学,230026,合......
期刊
<正> 一、引言日用陶瓷、电子陶瓷、耐火器材、研磨材料等工业生产中,广泛地使用着烧结工艺。对于烧结过程,进行系统深入地研究,从......
根据位错弯结理论对于含填隙溶质原子的体心立方金属冷加工后的Snoek-K(o|¨)ster弛豫机理作了分析,除了螺型位错上弯结对热激活形......