【摘 要】
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制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的AlGaN/GaN异质结紫外探测器，探测器采用Ni/Au金属作为电极。实验研究了探测器的光电响应特性和I-V特性。此探测器具有两个光谱响应范围，光谱响应的峰值响应率分别为288 nm处0.717 A/W 和366 nm处0.641 A/W，峰值处的量子效率分别为288 nm处308% 和366 nm处217%。
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十一研究所，山东青岛266555中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，江苏苏州215123中国科学院纳米器件与应用重点实验室，江苏苏州215123电子测试技术重点实验室，山东
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制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的AlGaN/GaN异质结紫外探测器，探测器采用Ni/Au金属作为电极。实验研究了探测器的光电响应特性和I-V特性。此探测器具有两个光谱响应范围，光谱响应的峰值响应率分别为288 nm处0.717 A/W 和366 nm处0.641 A/W，峰值处的量子效率分别为288 nm处308% 和366 nm处217%。
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