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与商用硅基或磷化镓光电二极管相比,In Ga N基可见光光电二极管在窄带通可见光应用领域表现出明显优势。到目前为止,In Ga N/Ga N MQWs为有源层结构和In Ga N体基结构光电二极管都表现出暗电流较大,外量子效率较低,探测带边接近紫外范围等缺点。虽然通过器件工艺和结构设计,可以提升器件的性能,但是In Ga N材料外延技术方面的突破才是器件提升性能的根本。