【摘 要】
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紫外光电探测器可用于科研、军事、航空航天、环保和其它许多领域中,由GaN基材料制备的MSM（金属-半导体-金属）光电探测器是人们研究的热门课题之一。本论文采用金属有机物化学
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紫外光电探测器可用于科研、军事、航空航天、环保和其它许多领域中,由GaN基材料制备的MSM（金属-半导体-金属）光电探测器是人们研究的热门课题之一。本论文采用金属有机物化学气相外延沉积法在蓝宝石衬底上生长高质量GaN基半导体薄膜,其p型载流子浓度达到1018。在此基础上制备了GaNMSM结构与p-i-n结构的紫外光电探测器,其响应峰值分别达到0.19A/W和0.95A/W。通过优化薄膜的生长条件（AlN插入层）,得到了高质量的且带隙可调（3.45～3.81 eV）的AlGaN薄膜,通过退火处理,得到位于308nm处响应峰值为0.07A/W的紫外光电探测器。
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