紫外探测器被广泛的应用于军事、商业、科研等方面领域。这些应用中包含：保密的点对点紫外通信,紫外导弹预警,紫外光谱学,生物化学紫外检测,火灾监测与预警,电力线路监测,紫外环境监测以及紫外天文学。肖特基结金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器被公认为简单容易实现的光电探测器,这种结构可以避免材料的高掺杂以及欧姆接触所带来的困难,从而简化了加工制备过程。MSM结构紫外探测器存在许多实用的优势,比如高的增益、低的暗电流、高的响应速率、大的带宽以及高的灵敏度。然而这种探测器需要工作在偏压下,偏压决定着探测器耗尽区的范围,于是探测器的参数特性有赖于所加的偏压。Ⅲ族氮化物具有独特的性质应用于紫外光领域中,AlGaN材料体系包含了200nm (6.2eV)到365nm (3.4eV)大部分的紫外光谱范围。Ⅲ族氮化物中随着掺杂Al组分的不同可以包含“日盲”和“可见盲”光谱范围。本论文中我们制备并且测试了GaN/AlGaN异质结MSM结构双色紫外探测器,此探测器可以有效的工作于两个频率范围,在5V偏压下峰值响应度分别为288nm波长下0.36A/W和366nm波长下0.322A/W。我们分析了入射光信号的频率以及偏压对探测器光谱响应特性的影响。随着斩波器调制频率的增加,探测器量子效率的衰减速率AlGaN材料响应(288nm)远大于GaN材料响应(366nm)。然而随着所加偏压的增大,探测器量子效率的增长速率AlGaN材料响应(288nm)远大于GaN材料响应(366nm)。ZnO是Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体材料,由于它的独特特性,近几年被广泛应用于紫外光电子领域。这些特性只要来源于ZnO材料为直接带隙材料,室温下禁带宽度为3.3eV。ZnO材料还存在优于GaN材料的一些方面,ZnO材料具有高质量的单晶以及大的激子结合能60meⅤ。本文中我们应用射频磁控溅射的方法在蓝宝石生长Ga元素掺杂ZnO薄膜,然后再薄膜上沉积Au(200nm)/Ni(50nm)肖特基接触电极,制备紫外探测器。我们分析了快速退火对ZnO:Ga薄膜紫外探测器性能的影响。并且研究了入射光信号的调制频率以及偏压对探测器光谱响应特性的影响。