位错缺陷相关论文
碲镉汞(Hg1-yCdyTe,HgCdTe)是制备高性能红外探测器的优良材料,在气象预报、资源探测和天文观测等领域中有重要的应用。碲锌镉(Cd1......
本文介绍了P型高阻真空区熔硅单晶的生长方法,以及用此法所生长单晶的寿命变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,......
利用扫描电镜(SEM)观察了蓝宝石衬底和外延GaN层的位错缺陷,探索了衬底中位错和外延层位错形成的关系.并使用原子力显微镜(AFM)技......
磷酸二氢铵晶体(NH4H2PO4，简称ADP)，是一种性能优良的非线性光学晶体，具有激光倍频效应、X射线分光效应、光电效应、压电效应等多种功......
304不锈钢通过低温拉伸制得含有不同马氏体相变量的试样,利用铁素体测量仪进行检测.与此同时,冷加工还不可避免地导致304不锈钢位......
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(MBE)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底MBE生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲......
利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)......
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多晶硅片材料的质量直接影响到多晶电池片的效率，位错缺陷在多晶硅片中普遍存在，当位错缺陷所占比例较大的时候对多晶硅片的效率......
本文在采用瞬态全局传热模型计算获得硅铸锭内热场的基础上，应用热弹模型和复杂应力状态下的Haasen-Alexander-Sumino (HAS)位......
GaN外延层与蓝宝石衬底问的品格系数和热膨胀系数失配导致了GaN/sapphire结构应力的产生。GaN外延层表面处的应力可以由拉曼光谱表......
利用扫描电镜(SEM)观察了蓝宝石衬底和外延GaN层的位错缺陷,探索了衬底中位错和外延层位错形成的关系.并使用原子力显微镜(AFM)技......
采用正电子湮没寿命方法研究了国产改进型316L不锈钢的微结构及其温度变化.该不锈钢含有单空位、双空位、位错和小空团等缺陷.经40......
本文叙述了用B-S方法生长CaF晶体时,几种常见的负离子杂质对CaF晶体的品质的影响,主要分析了O、S两种负离子在CaF晶体中的存在形式......
蓝宝石晶体具有非常高的化学稳定性，在常温下耐强酸和强碱的腐蚀;在3～5μm波段具有很高的光学透过率，透光范围覆盖紫外、可见、近红外......
钛合金由于其多层次的复杂微观组织而具有优异的力学性能，广泛应用于航空、航天、化工及医药等领域，其多种多样的组织主要来源于其形......
利用搅拌摩擦法与旋转摩擦挤压法原位复合制备钛铝化合物,结合扫描电镜观察和微区X射线衍射分析测试手段,研究了原位复合钛铝化合......
采用振动研磨方法对喷涂前驱体（6%Al2O3-7%YSZ混合粉体）进行研磨处理,并通过XRD和TEM对研磨后的混合粉体进行表征.利用大气等离子喷......
304不锈钢通过低温拉伸制得含有不同马氏体相变量的试样,由于冷加工将不可避免地导致位错密度大幅度增加,利用铁素体测量仪和透射......
通过利用光学显微镜,对不同pH值下ZTS晶体（100）面的台阶推移过程进行了实时观察,发现在同一过饱和度下,调高生长溶液的pH值会导致台......
因为照耀变硬和韧性的损失，在在原子环境的严重照耀下面的结构材料被知道降级，源于象空缺， interstitials 和脱臼环那样的导致照耀的......
氮化镓(GaN)薄膜在光电子领域具有广泛的应用,而位错缺陷对GaN基电子元器件的性能产生严重的影响,通过现有的方法生长的GaN薄膜中......
Bauschinger and size effects in thin-film plasticity due to defect-energy of geometrical necessary d
在从几何上必要的脱臼(GNDs ) 的缺点精力产生的薄电影的粘性理论的 Bauschinger 和尺寸效果是在这份报纸调查的经分解。第一，这个......
本文叙述了利用侵蚀法研究掺杂LiNbO3的晶体缺陷,并讨论了晶体缺陷的形成机理以及其与体全息存储性能的关系.通过实验发现了常温下......
随着单晶锗等硬脆材料在光学制造业、航空航天等高科技领域的广泛应用,行业对产品精度的要求已经达到了纳米级,这对制造业的超精密......
本文采用提拉法生长出了低Yb3+浓度掺杂的Yb:YVO4激光晶体和Yb:YxLu1-xVO4激光晶体,研究了晶体生长工艺。对晶体进行了表征,研究了......
采用导模法生长了a向,尺寸为60 mm×5 mm×300 mm的蓝宝石单晶片,采用化学腐蚀-金相显微镜法观测了其（0001）晶面的位错特征,......
