熔体生长相关论文
采用垂直梯度凝固法成功生长出直径为27mm、长为110mm,具有可控形状和形态的F-和Y3+共掺钨酸铅[PbWO4∶(F,Y)]晶体。通过透射光谱......
采用Ｔｅ作溶剂在特制的垂直区熔炉上开展了φ２０ＭＣＴ晶体的生长研究；详细阐述了该方法ＭＣＴ晶体的生长过程和生长机理；总结和分析了晶体生长过程中影......
本文应用周期键链(PBC)概念及Lennard-Jones n-m势能参数借助计算机对金属间化合物ZrAl_3晶体各重要晶面的附着能及表面能进行了计......
1987年,8月5日.在我国发射的又一颗返回式科学实验卫星上,成功地进行了一次熔体生长砷化镓单晶的科学试验.这一开创性半导体材料......
InP的配比度对晶体质量及相关器件性能有重要影响。若In-P熔体为富铟状态,不仅不容易生长单晶,而且易出现铟夹杂物;若熔体为富磷状......
第七届国际晶体生长会议于1983年9月12日至16日在西德斯多加德召开。参加会议的代表来自近30个国家共300多人。我国有16名代表参......
首次报道了３，４－二甲氧基，４＇－硝基芪（ＭＯＭＯＮＳ）化合物具有倍频效应。用粉末法测得其有效倍频系数ｄ＿（ｅｆｆ）为０．２～３倍ｄ＿（ＫＤＰ）。用坩埚下降法生长出ＭＯＭＯＮＳ单晶体，并用直接法解出了它的......
用引上法第一次从熔体中生长了有机晶体４′－硝基亚苄基－３－丙酰胺基－４－甲氧基苯胺（ＭＮＢＡ－Ｅｔ）．讨论了生长条件并对ＭＮＢＡ－Ｅｔ熔体的性质进行了研究。
The organic ......
用红外光谱、ＤＳＣ、ＳＡＸＳ和ＷＡＸＤ等方法考察了辐照５ＭＧｙ后的聚乙烯单晶在退火前后的结构变化，对比未辐照样品在同样条件下的变化，提出在９０℃以下和１０５℃聚乙烯......
采用Ｌｅｎｎａｒｄ—Ｊｏｎｅｓ（１２—６—１）势函数计算出二苯甲酮晶格能为１０５．６ｋＪ／ｍｏｌ，与实测值１０２．４ｋＪ／ｍｏｌ基本一致。用晶体生长形态学理论计算了二苯甲酮晶体的木征形态，与等温熔体生长实......
用混合晶红外光谱法和ＳＡＸＳ、ＤＳＣ和ＬＡＭ等方法研究了聚乙烯单晶在７５℃、９０℃和１０５℃退火前后的结构变化，发现在９０℃以下和１０５℃以上退火，遵循不同的退火机制
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本文研究了Ｎｄ：ＹＡＧ晶体由于小面的生长而产生核心与侧心的机理。讨论了熔体生长Ｎｄ：ＹＡＧ晶体的固液界面形状和温度梯度及小面生长的内在联系；探讨了......
本文开发了一种基于边界保角变换技术的有限元方法来研究熔体法石榴石晶体生长过程中界面动力学的影响。建立了一个可导致界面上小......
本文从 GaAs 体晶体的补偿比计算得的 D·V_(Ga)(杂质-镓空位)浓度,来估计 n 型掺杂晶体的“掺杂效应”(通过掺杂降低晶体位错密度......
本文首先简介国外8～14微米HgCdTe材料的发展和现状,然后介绍碲溶剂法、再结晶法和高压回流法等一些熔体生长方法和所得8～14微米材料......
由于碲镉汞单晶在熔体生长中比较难于获得符合化学计量比的晶体,常常由于晶体的组份不均匀性和晶体结构的不完整性造成器件研制工......
一、前言目前,工业及科学技术上所使用的人工单晶材料近200种,其中80％是由熔体生长的;直拉法(亦称提拉法,引上法,立拉法等)则是熔......
引言 Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体是良好的发光材料。具有禁带宽度大,发光效率高等优点。但它们的熔点高,蒸汽压高,只有在高温高压下才......
由于生长期间熔体中 In 的分凝和金属 As 化学计量比的变化,用 LEC 法生长的 In-合金 GaAs 晶体显示出非均匀性。由富 As 熔体生长......
中国有色金属学会半导体材料学术委员会主办的一九八七年全国砷化镓及有关化合物会议,于1987年10月19日至24日在北京平谷县举行。......
实验方法掺杂实验中采用了三种可能的方法:(1)最简单和最常用的方法包括仔细地称出所要求数量的掺杂剂和打开衬底支座的挡板机构......
本文根据文献中报导的数据,求出某些缺陷间的相互关系,从而对有关缺陷的构型提出些看法。所涉及的材料包括n-VPE,n-LPE,n-LEC及SI ......
为了提高砷化镓单晶的完整性和均匀性,中科院半导体研究所和航天部501所合作,在太空中完成了从熔体生长砷化镓单晶的实验。用电解......
本文提出了改进的低压LEC/PBN法获得稳定的熔体化学计量比的条件,研究了晶体的电学性质、位错密度、C含量及EL2浓度等特性,并考察......
利用定向凝固技术制备了取向良好的 YBCO 棒材,其 a-b 晶面与提拉方向的夹角小于 5°。为研究 YBCO 生长的各向异性及其定向凝固机......
在我国半导体科学领域,有一位声震国内外、被誉为“太空材料之母”的科学家,她就是中国半导体科学领域的学术带头人、中科院院士......
Cd1 - x Znx Te熔体组元平衡蒸汽压数据是晶体制备中必须考虑的重要热力学参数 .在光吸收法测定 Cd- Te熔体平衡蒸汽压的基础上运......
开发了一种基于边界保角变换技术的有限元方法来处理自由边界问题 ,并成功地将其用于晶体定向生长过程中的界面动力学影响的研究。......
应用基于边界保角变换技术的Galerkin有限元方法 ,研究熔体生长中动力学效应和自然对流的耦合作用 ,探究了对流对生长系统中的温场......
利用扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）等表征手段，研究了聚对苯二甲酸乙二醇酯-双酚A型聚碳酸酯（PET—PC）共混物的高压结晶样品。......
开发了一种基于边界保角变换技术的有限元方法来处理自由边界问题，并成功地将其用于晶体定向生长过程中的界面动力学影响的研究。所......
应用基于边界保角变换技术的Ｇａｌｅｒｋｉｎ有限元方法，研究熔体生长中动力学效应和自然对流的耦合作用探究了对流对生长系统中的温场分布、相界面......
响应面法对提拉单晶生长参数进行数值模拟优化时,要通过单晶提拉的数值模拟计算获得响应面函数拟合所需要的试验数据,这些数据的获......
简述了ZnSe体单晶熔体生长，气相生长、溶液生长和固相再结晶技术以及ZnSe的基本理化性质，分析并认为这些基本理化性质对Znse单晶生长......
本文报导了采用慢降温自发成核和顶部风冷法,从高温Si-B-Cu溶液中生长出六硼化硅单晶,SiB6最大单晶尺寸为12×8×5mm。......
