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直接带隙宽禁带半导体材料GaN是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要材料之一,深受国际上的关注。因此,GaN材料的研究已成为当前半导体科学技术的前沿领域和热点。本文采用简单的化学气相沉积法,系统地研究了平直、Z形和锯齿状GaN纳米线、GaN纳米管以及GaN薄膜的制备,及其生长机理。同时开创性地采用水热氨化两步法制备出了GaN纳米片状结构及由棒状物类阵列排列组成的GaN薄膜,并对它们的形貌、结构光学性质及生长机理进行了系统的研究。主要结果如下：1、利用FESEM、XRD、TEM和PL对平