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在平板显示器中,每个像素上都有一个薄膜晶体管(TFT)对像素进行开关从而达到显示的作用。目前市场上TFT主要以非晶硅和低温多晶硅为主,其中非晶硅由于可以大规模应用于平板显示的优点,占据了过去几十年TFT大部分市场。随着科技不断的发展,对于大尺寸、高帧数的平板显示需求也越来越大,非晶硅和低温多晶硅的缺点也愈发明显。氮化铟(InN)是第三代半导体材料中重要的一种材料,在III-V族氮化物中,其有拥有最高的载流子迁移率、饱和漂移率、峰值速率以及最小的电子质量等优点,非常具有发展前景。目前,制备InN薄膜的方法主要有分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、磁控溅射、原子层沉积(ALD)等。本文使用等离子体原子层沉积系统(PE-ALD)制备InN薄膜。PE-ALD具有制备温度低,均匀性好、台阶覆盖性好等优点,非常适合用于在玻璃、聚酰亚胺等不能耐受高温度的衬底上制备InN薄膜,从而能够制备薄膜晶体管。本论文主要研究内容如下:1、在玻璃衬底上成功制备出多晶的InN薄膜。本文研究了随薄膜厚度增加,InN结晶性能的变化。XRD测试结果显示当薄膜厚度达到60 nm时,玻璃上生长的InN薄膜逐渐由非晶态转变为多晶形态,具有优异的导电性能。2、在柔性聚酰亚胺衬底上制备出多晶的InN薄膜。与玻璃衬底类似,聚酰亚胺基底上InN薄膜随厚度增加逐渐晶化,当薄膜厚度达到60 nm时,薄膜转变成为多晶形态,同样具有优异的导电性能。3、在玻璃衬底上成功制备出多晶的富In的多晶In0.8Ga0.2N薄膜和富Ga的多晶In0.2Ga0.8N薄膜。在这两组样品中SEM分析都可以观察到晶粒紧密地排列在一起,XRD图中也可以看见多晶的衍射峰。通过测量其电学性能可以发现随着Ga的掺入电阻率发生明显的增大。4、本文制备了以InN为沟道层的薄膜晶体管。器件的场效应迁移率为27.8 cm2/Vs,开关比为105,阈值电压为-4.25 V,为非晶态柔性衬底上制备InN薄膜晶体管提供了可能性。