DCXRD相关论文
结合透射电镜与原子力显微镜实验,用双晶X射线衍射方法分析了Ge/Si多层纳米岛材料.衍射的卫星峰可以被分解为两个洛仑兹峰,它们分......
The persistent photoconductivity(PPC) phenomena in n-type GaN Films grown by metalorganic chemical vapor deposition(MOCV......
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0~0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、......
采用常压MOCVD方法在Al2O3(00.1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜.由ZnO(00.2)面和Al2O3(00.6)面及ZnO(10.2)面和Al2O3(11.6)面X......
利用超高真空化学相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在６５０℃生长出表面光亮的ＧｅＳｉ单晶。在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械泵间串接４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵，改善了生长环境。串接分子泵后生长的样......
在 n 类型的坚持的光导增益(PPC ) 现象轧了电影成年 bymetalorganic 化学药品蒸汽免职(MOCVD ) 被学习了。在使用一些测试和分析......
利用LP-MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六......
以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680 ℃时,利用常压MOCVD在GaN/Al2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力......
利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升......
利用LP—MOCVD在Si（111）衬底上,以高温AIN为缓冲层,分别用低温GaN（LT—GaN）和偏离化学计量比富Ga高温GaN（HT—GaN）为过渡层外延生长六方......
采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3（0001）衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究了......
用透射电子显微镜（TEM）和x射线双晶衍射仪（DCXRD）对在Si（111）衬底上生长的InGaN／GaN多量子阱（MQW）LED外延材料的微结构进行了观察和分析．从TE......
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、......
利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射......
采用低温氮化铟(InN)缓冲层，利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜．用光学......
首次报道了通过引入ZnAl2O4缓冲层,以金属源化学气相外延法（MVPE）生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl2O4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备......
用高温AlN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜.通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定......
